公开/公告号CN100474511C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-01
原文格式PDF
申请/专利权人 莫门蒂夫性能材料股份有限公司;
申请/专利号CN200380109711.2
申请日2003-12-22
分类号H01L21/20(20060101);H01L21/02(20060101);C30B25/20(20060101);C30B29/40(20060101);C30B9/12(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 美国康涅狄格州
入库时间 2022-08-23 09:02:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-21
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20200102 变更前: 变更后: 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移
2019-09-27
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L21/20 合同备案号:X2019990000072 让与人:天空公司 受让人:SLT科技公司 发明名称:氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 申请公布日:20060315 授权公告日:20090401 许可种类:独占许可 备案日期:20190903 申请日:20031222
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2019-09-27
专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 合同备案号:X2019990000072 让与人:天空公司 受让人:SLT科技公司 发明名称:氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 申请公布日:20060315 授权公告日:20090401 许可种类:独占许可 备案日期:20190903 申请日:20031222
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
2017-04-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20170324 变更前: 变更后: 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移
2017-04-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/20 登记生效日:20170324 变更前: 变更后: 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移
2017-04-12
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20170324 变更前: 变更后: 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移
2009-04-01
授权
授权
2009-04-01
授权
授权
2009-04-01
授权
授权
2008-09-03
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080801 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-09-03
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080801 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2008-09-03
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更前: 变更后: 登记生效日:20080801 申请日:20031222
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
2006-05-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-05-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-05-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-03-15
公开
公开
2006-03-15
公开
公开
2006-03-15
公开
公开
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机译： 氮化镓基半导体发光器件，制造氮化镓基半导体发光器件的方法，氮化镓基发光二极管，外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
机译： 氮化镓基半导体发光器件及其制造方法，氮化镓基发光二极管，外延晶片以及氮化镓发光二极管的制造方法
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