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公开/公告号CN100479149C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-15
原文格式PDF
申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;
申请/专利号CN200510051727.3
发明设计人 M·斯特雷布;K·埃斯马克;C·鲁斯;M·温德;H·戈斯纳;
申请日2005-03-01
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张雪梅
地址 德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:02:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-04-15
授权
2005-11-02
实质审查的生效
2005-09-07
公开
机译: 带有集电极电流控制点火的单片集成电路的ESD保护电路。
机译: 用于电子模块的静电放电(ESD)保护电路具有电流控制元件,该电流控制元件可泵送ESD脉冲电流,该电流根据触发信号有选择地引回到初级并联元件的衬底中
机译:使用衬底触发技术的低触发电压和快速开启的ESD保护电路
机译:具有对称触发电路的低泄漏双向SCR,可在40nm CMOS工艺中提供ESD保护
机译:高压集成电路电容触发式ESD保护器件的研究
机译:用于ESD保护的本机NMOS触发的SCR(NANSCR)在0.13-μmCMOS集成电路中进行ESD保护
机译:ESDCat:一种新的CAD软件包,用于全芯片ESD保护电路设计验证。
机译:α2δ-1信号驱动损伤诱导的皮质畸形模型中的细胞死亡突触发生电路重组和加巴喷丁介导的神经保护。
机译:亚四分之一微米CmOs工艺中基板触发技术的混合电压I / O电路的EsD保护设计
机译:开发两个单片集成电路和一个10kHz磁带自动键合(TaB)混合微电路振荡器,