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杨兆年; 刘红侠; 朱嘉; 费晨曦;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
反馈; 检测电路; 静电放电; 电压触发;
机译:90nm低压CMOS工艺中的静态触发3×VDD耐ESD检测电路
机译:具有用于90nm CMOS工艺的改进型RC网络的低泄漏电源轨ESD检测电路
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:90nm低压CMOS工艺中的2×耐VDD ESD检测电路
机译:在分子和细胞水平处进入亚20nm纳米载体(3-螺旋胶束)的洞察
机译:用20nm桑普斯缀合物对Skbr3乳腺癌细胞的合成表征和抗癌治疗潜能
机译:亚四分之一微米CmOs工艺中基板触发技术的混合电压I / O电路的EsD保护设计
机译:具有亚20nm特征的强相分离嵌段共聚物。
机译:垂直磁记录介质和装置,包括软磁性层,至少20nm厚的非磁性层和50-90nm的间隙长度
机译:根据其他硅酸盐将Meta设计的纳米尺寸不可燃无机材料(10〜20nm)作为标准或熔融粉末(GELL Tuesday)和热塑性树脂(PMMA,PE,PS,PETG)进行混合并替代光学材料(离子化),然后通过高透光率和高透明性以及高强度不易燃(阻燃剂,阻燃剂)技术赋予功能(发明)
机译:触发背对背二极管用于三阱CMOS工艺中的ESD保护
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