不具有钒控制的半绝缘碳化硅

摘要

公开了一种碳化硅的半绝缘体单晶，它具有至少5000Ω-cm的室温电阻率和建立离价带或者导带至少700meV的能态的俘获元素浓度，该浓度低于影响晶体电阻率的量，优选低于可检测的水平。还公开了形成晶体的方法以及一些得到的器件，这些器件采用利用本发明衬底形成的器件的微波频率能力。