一种具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件

摘要

本发明提供一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI耐压结构的SOI功率器件，其特征是：耐压层结构含有两层介质层，两介质层之间填充半导体或半绝缘材料，且第一层介质有窗口。当器件加上反偏电压时，中间层上下界面形成的界面电荷提高了第二层介质的电场强度，同时，窗口的存在调制了漂移区电场，因而器件耐压大大提高。另一方面，窗口的存在提供了热传导的路径，使得该器件结构的自热效应主要取决于第二层介质的厚度，而第二层介质在不击穿的情况下可以较薄，所以本发明提出的器件结构能够缓解自热效应。基于本发明的SOI功率器件，不仅能够提高器件耐压，且因埋层较常规SOI器件更薄而缓解自热效应，特别适于制作高耐压的功率器件。