机译:具有绝缘体区域(IR-SOI)的SOI MOSFET:一种用于可靠的纳米级CMOS电路的新型器件
Electrical Engineering Department, Semnan University,Semnan, Iran;
Electrical Engineering Department, Semnan University,Semnan, Iran;
high-K; hot carrier effect; insulator region HFO_2; gidl; reliability; SOI mosfet;
机译:采用绝缘体上硅(SOI)CMOS技术实现的MOSFET和基本电路的高温特性高达450℃
机译:使用累积模式多栅极和完全耗尽的SOI MOSFET的高性能,高可靠性新型CMOS器件
机译:使用累积模式全耗尽SOI MOSFET的高性能,高可靠性新型CMOS器件
机译:高温特性高达450°C的MOSFET和在绝缘体上实现的基本电路(SOI)CMOS技术
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:CMOS电压和电流参考电路由亚阈值MOSFET组成 - 用于电源感知LSI应用的MicroPower电路组件 -
机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路