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花婷婷; 郭宇锋; 于映;
南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京210023;
绝缘体上硅; 功率器件; 击穿电压; 模型;
机译:在高耐压和大容量领域中支持功率器件发展的功率-分析支持IGBT发展的因素,并讨论包括宽带隙半导体在内的未来功率器件的前景。
机译:完全和部分耗尽的SOI器件的统一分析SOI MOSFET模型
机译:具有未掺杂沟道MOSFET的完全耗尽SOI器件中的漏极泄漏机制
机译:沟槽式MOS功率器件,具有渐变的掺杂分布。
机译:β-Ga2O3中110 meV意外供体的不完全电离及其对功率器件的影响
机译:高压薄膜SOI器件线性掺杂分布的数值模拟
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能
机译:用于完全耗尽的soi结构的掺杂方法以及包括所得掺杂区的器件
机译:形成有掺杂区的器件以及用于完全耗尽的SOI结构的掺杂方法
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