MOSFET; semiconductor device models; silicon-on-insulator; leakage currents; tunnelling; impact ionisation; drain leakage mechanisms; fully depleted SOI transistors; undoped channel SOI transistors; leakage currents; inter-band tunneling effects; impact;
机译:辐照全耗尽SOI器件中的带间隧穿引起的漏泄漏的栅长和漏偏压依赖性
机译:物理紧凑的直流漏极电流模型,用于具有独立栅极操作的长沟道非掺杂超薄体(UTB)SOI和不对称双栅极(DG)MOSFET
机译:具有未掺杂或极低掺杂沟道区的纳米级超薄SOI MOSFET的源/漏串联电阻
机译:具有未掺杂通道的完全耗尽SOI器件中的漏极泄漏机制
机译:SOI MOSFET的漏极泄漏和热载流子可靠性。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应