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EUV光刻中的湿度控制

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本公开涉及EUV光刻中的湿度控制。在晶片上涂覆光敏层。曝光光敏层。在一些实施例中，光敏层被暴露于EUV光。烘焙光敏层。使光敏层显影。在涂覆、烘焙或显影中的至少一者中引入湿度。

著录项

  • 公开/公告号CN109521648B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201810004571.0

  • 发明设计人 訾安仁;郑雅如;张庆裕;林进祥;

    申请日2018-01-03

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人桑敏

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 12:26:38

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