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光刻技术; EUV; 蚀刻技术; 线宽;
机译:ArF水浸式光刻技术的后续产品:EUV光刻技术,多电子束无掩模光刻技术还是纳米压印技术?
机译:固态:X射线光刻技术打破了亚微米级的障碍;新的X射线光刻系统使Bell Labs工程师能够制造迄今报道的最小,最快的MOSFET
机译:EUV光刻技术中低于30nm分辨率的途径
机译:突破极限:结合电子束光刻和纳米印迹光刻技术来生产下一代磁性介质和光学介质
机译:对EUV和纳米压印光刻技术中的创新进行建模。
机译:超越EUV光刻技术:有效光刻胶性能的比较研究
机译:通过将传统光刻技术与自对准嵌段共聚物方法相结合,开发用于14纳米以下技术的创新性等离子蚀刻工艺
机译:用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术,采用常规光刻,各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模
机译:具有用于反射层的EUV光刻技术,用于反射掩模坯料的EUV光刻技术,用于反射掩模的EUV光刻技术,以及具有反射层的衬底的制造方法。
机译:具有多层反射膜,EUV光刻技术的反射面膜空白,EUV光刻技术的反射面膜,及其制造方法以及制造半导体器件的方法
机译:EUV光刻技术及其制造方法的反射面罩,以及EUV光刻技术及其制造方法的反射面罩
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