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刘业异; 姚汉民; 胡松;
中国电子学会;
NGL技术; X射线刻划技术; 极紫外光刻; 光学光刻; 技术指标;
机译:激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻激光等离子源,用于极紫外(EUV)光刻
机译:光子前沿:极紫外光刻技术:极紫外光刻技术难以缩小芯片特征
机译:ArF水浸式光刻技术的后续产品:EUV光刻技术,多电子束无掩模光刻技术还是纳米压印技术?
机译:矢量扫描电子束光刻技术在45nm节点极紫外光刻掩模版中的应用
机译:使用台式极紫外激光的相干光刻技术的进展。
机译:超越EUV光刻技术:有效光刻胶性能的比较研究
机译:使用极紫外(EUV)的基本光刻技术
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。
机译:具有用于反射层的EUV光刻技术,用于反射掩模坯料的EUV光刻技术,用于反射掩模的EUV光刻技术,以及具有反射层的衬底的制造方法。
机译:利用EUV抗蚀硬化的极紫外(EUV)光刻技术
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