用于电子和空穴迁移率增强的双鳍集成

摘要

提供了一种用于形成半导体器件的技术。在半导体层上的硬掩模层之上形成牺牲芯棒。在牺牲芯棒的侧壁上形成间隔体。移除牺牲芯棒以留下间隔体。掩模工艺留下暴露的间隔体的第一组，第二组被保护。响应于掩模工艺，第一鳍蚀刻工艺经由间隔体的第一组在半导体层中形成鳍的第一组。鳍的第一组具有垂直的侧壁轮廓。另一个掩模工艺留下暴露的间隔体的第二组，间隔体的第一组和鳍的第一组被保护。响应于其他的掩模工艺，第二鳍蚀刻工艺使用间隔体的第二组在半导体层中形成鳍的第二组。鳍的第二组具有梯形的侧壁轮廓。