机译:应变Si_xGe_(1-x)-Ge-Si核-双壳纳米线异质结构,用于同时提高空穴和电子迁移率
Univ Texas Austin, Dept Elect & Comp Engn, Microelect Res Ctr, Austin, TX 78758 USA;
Univ Texas Austin, Dept Elect & Comp Engn, Microelect Res Ctr, Austin, TX 78758 USA;
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了热稳定性和空穴迁移率
机译:在松弛的Si_(1-x)Ge_x缓冲层上生长的应变硅/应变硅(1-y)Ge_y /应变硅异质结构中改善了空穴迁移率和热稳定性
机译:在相干紧张的[110]的GE-Si核 - 壳体纳米线中提高空穴迁移率
机译:绝缘体上薄体应变Si /应变SiGe / Si异质结构中电子和空穴迁移率的提高
机译:硅锗本体合金和应变硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)异质结构中的电子g因子工程
机译:促进相干应变110取向的空穴迁移率Ge–Si核–壳纳米线
机译:促进相干应变[110]取向的Ge-Si核壳纳米线的空穴迁移率