完全耗尽型SOI多临界电压应用

摘要

本发明是有关于一种完全耗尽型SOI多临界电压应用。一种集成电路，包括一基材与形成于基材中的一埋式介电层。埋式介电层具有第一厚度于第一区中、具有第二埋式介电层厚度于第二区中，以及具有一阶梯介于第一与第二区之间。一半导体层位于埋式介电层上。埋式介电层厚度可依照各种不同应用而变化，而这些应用的晶体管可具有不同的预期临界电压，例如核心应用、低电源应用及I/O应用。另外，可在同一晶圆中使用不同的埋式氧化层厚度，以提供实质保留给要求V_th调整的FD SOI背闸偏压元件的V_th调整能力，例如核心应用、低电源应用及I/O应用。