多层硅微机械结构的掩模－无掩模腐蚀技术

摘要

本发明是加工多层硅微机械结构的掩模—无掩模各向异性腐蚀技术。已有技术采用掩模淀积，光刻和在掩模限制下的硅各向异性腐蚀，用以制作多层结构时工艺复杂而且不能形成较深的结构，有很大的局限性。本发明利用了KOH腐蚀液对有掩模腐蚀形成的<110>方向硅台阶作无掩模腐蚀时{311}面取代原{111}侧面的特性和相对台阶之间的相互作用，可同时产生多个可位于任意深度的新层面。因此可制成现有技术无法加工的多层硅微机械结构。