器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法

摘要

本申请涉及一种器件用热沉、半导体器件及器件用热沉的制备方法，本申请的器件用热沉包括：单晶碳化硅层、第一过渡层、第一金属堆叠层、第二过渡层和第二金属堆叠层，单晶碳化硅层具有两个相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均为毛面；第一过渡层设于第一表面上；第一金属堆叠层设于第一过渡层上；第二过渡层设于第二表面上；第二金属堆叠层设于第二过渡层上；其中，第一金属堆叠层与第二金属堆叠层的材质和层数不同。本申请采用单晶碳化硅层作为导热绝缘基板，导热率较高。再者，本申请通过单晶碳化硅层表面进行毛化处理，提高单晶碳化硅层的待加工表面与过渡层的结合强度。