法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/34 授权公告日:20140625 终止日期:20170811 申请日:20080811
专利权的终止
2014-06-25
授权
授权
2014-06-25
授权
授权
2013-01-16
著录事项变更 IPC(主分类):H01L23/34 变更前: 变更后: 申请日:20080811
著录事项变更
2013-01-16
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 23/34 变更前: 变更后: 申请日:20080811
著录事项变更
2012-01-18
著录事项变更 IPC(主分类):H01L23/34 变更前: 变更后: 申请日:20080811
著录事项变更
2012-01-18
著录事项变更 IPC(主分类):H01L 23/34 变更前: 变更后: 申请日:20080811
著录事项变更
2009-04-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-04-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-02-11
公开
公开
2009-02-11
公开
公开
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机译: 具有凸形热沉的半导体器件的制造方法和凸形热沉的制造方法
机译: 热沉,制造热沉的方法,半导体器件和半导体模块
机译: 热沉,使用热沉的半导体激光器件和半导体激光堆栈