公开/公告号CN108063134B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201711250882.7
申请日2017-12-01
分类号H01L27/02(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人邓琪
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 11:31:21
机译: 降低SOI电路中NMOS器件的短沟道效应的方法
机译: 降低SOI电路中NMOS器件的短沟道效应的方法
机译: 传感器XOR 5-一种使用负阈值五端NMOS FET器件且具有多步连接的电源电路系统,用于传感器信号的XOR逻辑操作