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何玉娟; 潘金辉; 罗宏伟; 恩云飞; 肖庆中;
中国电子学会;
广东省电子学会;
广东省仪器仪表学会;
静电保护; SOI NMOS器件; Medici模拟; 硅膜厚度;
机译:重离子和脉冲激光辐照下纳米尺度SOI器件电荷收集机理的机械应变和硅膜厚度比较分析
机译:先进FD SOI-MOSFET中与硅膜厚度有关的电气特性
机译:FD-SOI技术中用于ESD保护的薄膜硅BIMOS器件的拓扑和设计研究
机译:低温下界面陷阱密度对SOI NMOS器件硅膜和前氧化层厚度的影响
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:使用基于铟锡氧化物的硅和pn硅结的器件对基于大孔硅的光伏特性进行比较研究
机译:使用用于硅纳米光子器件的校正蚀刻来改善sOI厚度均匀性
机译:用sOI(绝缘体上硅)薄膜制造的抗辐射JFET器件和CmOs电路
机译:用于绝缘体上硅(SOI)器件的深沟槽静电放电(ESD)保护二极管
机译:缺少寄生ESD二极管的绝缘体上硅(SOI)和FinFET工艺的ESD功率钳位
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