一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路

摘要

本发明提供一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路，该器件为多指并联的GGNMOS，其包括埋氧层、P阱区、源极、漏极和栅极，还包括P+接触区和伪栅极，其中，所述P+接触区设置在所述源极的远离所述漏极的一侧，且所述P+接触区与所述源极之间通过P阱区隔开；所述伪栅极覆盖在所述P+接触区与所述源极之间的P阱区上。本发明能提高反向ESD保护能力。