公开/公告号CN108321199B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第五十五研究所;
申请/专利号CN201711459745.4
申请日2017-12-28
分类号H01L29/778(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人吴树山
地址 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
入库时间 2022-08-23 11:29:26
机译: 制造p型基于gan的复合半导体的方法,激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法,基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
机译: 用于制造基于GaN的复合半导体的氨产品,用于制造基于GaN的复合半导体的方法以及用于制造基于GaN的复合半导体的氨的方法
机译: GaN薄膜结合基体及其制造方法,以及基于GaN的高电子迁移率晶体管及其制造方法