一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层，所述势垒层的上方自左向右依次平行设有源极、钝化层、肖特基漏极、欧姆漏极，所述钝化层的上方设有栅极；其特征在于：欧姆漏极靠近栅极的一侧设有三维肖特基二极管；三维肖特基二极管与欧姆漏极构成三维复合漏极；三维肖特基二极管的结构包括周期性排列的GaN基三维鳍片和肖特基漏极；GaN基三维鳍片之间设有刻蚀形成的隔离槽；肖特基漏极一部分包裹于GaN基三维鳍片的上方和两侧，另一部分覆盖于GaN基三维鳍片的相邻之间的隔离槽上。本发明能够抑制肖特基漏边缘电场和电流崩塌并降低开态电阻，提高正向击穿与反向阻断能力。