公开/公告号CN107408558B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 桑迪士克科技有限责任公司;
申请/专利号CN201680013845.1
申请日2016-05-17
分类号H01L27/11582(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L29/423(20060101);H01L29/51(20060101);H01L29/792(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人邱军
地址 美国得克萨斯州
入库时间 2022-08-23 11:15:09
机译: 在多层电荷俘获区中具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件
机译: 在多层电荷俘获区中具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件
机译: 在多层电荷俘获区中具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件