公开/公告号CN110431633B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-25
原文格式PDF
申请/专利权人 长江存储科技有限责任公司;
申请/专利号CN201980001039.6
申请日2019-06-06
分类号G11C16/10(20060101);G11C16/34(20060101);G11C16/30(20060101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人林锦辉;刘景峰
地址 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
入库时间 2022-08-23 11:15:05
机译: 通过施加多个位线偏置电压在非易失性存储器件中进行编程的方法
机译: 应用多个位线偏置电压的非易失性存储器件及在非易失性存储器件中编程的方法
机译: 应用多个位线偏置电压的非易失性存储器件及在非易失性存储器件中编程的方法