TiN硬掩模和蚀刻残留物去除

摘要

本发明公开了用于从28/20nm图案晶片去除PVD TiN硬掩膜的组合物、方法和体系。所述组合物使用过氧化物作为氧化剂在微碱性条件下去除PVD TiN硬掩模。所述组合物包含大体积或长链的有机胺或多烷基胺以提高PVD TiN对CVD TiN的去除/蚀刻选择性。所述组合物进一步含有长链有机酸或胺以维持Co相容性。