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机译:ACL硬掩模后蚀刻条带中TMCTS的SIOC(H)低k电介质的表面分析
Min Kyu Park; Wan Soo Song; Min Ho Kim; Sang Jeen Hong;
机译:压力脉动对超临界CO2中低k膜蚀刻后光刻胶剥离的影响
机译:在45 nm间距互连线上干蚀刻低K介电材料后去除锡硬掩模的蚀刻后残留清洗液的评估
机译:使用紫外线照射和臭氧水去除多孔低k介电图案中的蚀刻后193 nm光刻胶
机译:利用金属硬掩模集成方案,蚀刻后铜/低K器件的蚀刻残留物去除
机译:使用边缘有限元的介电失准和表面异常的双盘谐振器的三维可视化和分析。
机译:TMCTS的SIOC(H)低的表面分析
机译:压力脉动对超临界CO2中低k膜上蚀刻后光刻胶剥离的影响
机译:具有有机硅玻璃低K介电蚀刻应用的02和NH3的蚀刻后光敏条
机译:具有O2和NH3的后蚀刻光刻胶带,用于有机硅玻璃低K介电蚀刻应用
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