混合晶向衬底上的高性能CMOS SOI器件

摘要

提供了一种集成的半导体结构，它包含至少一个形成在对器件最佳的第一晶面上的器件，而另一器件被形成在对此另一器件最佳的不同的第二晶面上。形成此集成结构的方法包括提供键合衬底，此键合衬底至少包括第一晶向的第一半导体层和不同的第二晶向的第二半导体层。部分键合衬底被保护以确定第一器件区，而键合衬底的其它部分不被保护。键合衬底的未被保护部分然后被腐蚀，以便暴露第二半导体层的表面，并在暴露的表面上再生长半导体材料。在整平之后，第一半导体器件被形成在第一器件区中，而第二半导体器件被形成在再生长材料中。