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James A.Burns; Philip Garrou;
Lincoln Laboratory,Massachusetts Institute of Technology;
IEEE Fellow Microelectronic Consultants of NC;
机译:3-D CMOS成像仪使用SOI
机译:使用3-D模拟分析考虑3-D边缘电容的窄通道FD SOI NMOS器件的栅-源/漏电容行为
机译:使用粘合SOI衬底制造的C波段SOI功率MOSFET
机译:使用工艺和器件仿真来优化在块状衬底和SOI衬底上制造的ggNMOS ESD保护器件的L / sub Gate /
机译:使用近距离升华技术,碲化镉在硅(100)和SOI衬底上的压力依赖性纳米异质外延
机译:腔箱SOI:具有预先图案盒的先进硅衬底用于单片MEMS制造
机译:使用3-D光谱分析的ANGWIN(南极重力波仪器网络)成像仪观测到的南极中层重力波的特征
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析
机译:绝缘体上硅(SOI)衬底,制造SOI衬底的方法以及使用该SOI衬底的SOI MOSFET
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