首页> 中文期刊> 《集成电路应用》 >使用SOI衬底的3-D CMOS成像仪

使用SOI衬底的3-D CMOS成像仪

         

摘要

完全耗尽型SOI、红外对准、硅片间的低温氧化物键合以及高密度的3-D通孔等技术被成功地结合起来,用于3-D可视成像仪和雪崩光电二极管成像仪的制造。

著录项

  • 来源
    《集成电路应用》 |2007年第9期|50-53|共4页
  • 作者

    James A.Burns; Philip Garrou;

  • 作者单位

    Lincoln Laboratory,Massachusetts Institute of Technology;

    IEEE Fellow Microelectronic Consultants of NC;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号