复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种复合栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法，主要解决现有同类器件可靠性低的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离，并生长SiN钝化层；在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域；在栅槽和SiN钝化层上生长AlN介质层，并利用热氧化或等离子辅助氧化工艺将AlN介质层氧化为AlON复合栅介质层；在栅介质层上制作栅电极；在栅电极和栅电极区域外的栅介质层上生长SiN保护层；在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区；在互联开孔区和未开孔刻蚀的SiN保护层上制作金属互联层，完成器件制作。本发明改善了器件的界面特性，提高了其可靠性，可用作高效微波功率器件。