公开/公告号CN106505077B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 HGST荷兰公司;
申请/专利号CN201610901766.6
申请日2016-08-25
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址 荷兰阿姆斯特丹
入库时间 2022-08-23 10:42:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
授权
授权
2017-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/22 申请日:20160825
实质审查的生效
2017-04-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20160825
实质审查的生效
2017-03-15
公开
公开
2017-03-15
公开
公开
机译: 制造方法例如互补金属氧化物半导体集成电路的半导体衬底区域中的金属氧化物半导体晶体管涉及用导电材料填充开口
机译: 互补金属氧化物半导体/双极互补金属氧化物半导体-相机芯片集成电路具有单个单独的层作为钝化系统的最后一层,将集成电路密封
机译: 互补金属氧化物半导体/双极互补金属氧化物半导体-相机芯片集成电路具有单个单独的层作为钝化系统的最后一层,将集成电路密封