互补型对称金属-氧化物-半导体集成电路

摘要

简单回顾一下金属—氧化物—半导体（以下简称“MOS”）绝缘栅场效应晶体管的一些基本特点。这些器件包含扩散在硅衬底上的两个电极（源和漏）。源和漏由有限的空间分离开,所以形成了一个多数载流子传导沟道。金属栅做在沟道之上并与之绝缘。 n型沟道器件一般在漏电源电位(Vdd)、源和衬底地电位(Vss)下工作。如果给栅加上正电位,则在栅极和衬底之间产生一电场。由于电场必须终止在电荷上。