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机译:基于互补金属氧化物半导体逆变器的电容反馈电荷集成方案的铁电随机存取存储器稳定读出电路
Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, AraMaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan;
rnDepartment of Electronics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, AraMaki, Aoba-ku, Sendai 980-8579, Japan;
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机译:铁电随机存取存储器(FeRAM)的差分电容读取方案(DCRS)的电路实现
机译:嵌入了130 nm,5 lm铜互补金属氧化物半导体逻辑的高密度1.5 V铁电随机存取存储器的位分布和可靠性
机译:高k /金属栅极晶体管在扩散和栅极替换(D&GR)方案中的CMOS集成,用于动态随机存取存储器外围电路
机译:铁电随机存取存储器的外围域切换和抗疲劳读出
机译:铁电动电容器对铁电随机存取记忆性能增强的应力效应研究
机译:基于有机互补电路和铁电非易失性存储器的印刷剂量记录标签
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机译:16 K CmOs(互补金属氧化物半导体)sRam(静态随机存取存储器)的单事件翻转率估计