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通过金属线和通孔矩阵插入来减轻电迁移、涌入电流效应、IR电压降和抖动

摘要

本文公开了以在为集成电路的布局执行和/或完成了放置和路由过程之后的金属线‑通孔矩阵插入为特征的集成电路和制造此类电路的方法。该金属线‑通孔矩阵包括在特定点被插入到集成电路的布局中以降低通过已经被确定为遭受电迁移、IR电压降、和/或抖动的第一导电路径的电流和电流密度的一个或多个附加金属线以及一个或多个附加通孔。具体地,该金属线‑通孔矩阵提供了一个或多个辅助导电路径以使本将流经第一导电路径的电流的一部分转向并承载该部分电流。这减轻了沿第一导电路径的电迁移问题和IR电压降。还可帮助缓解因沿该路径的抖动而导致的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106575311B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580039977.7

  • 发明设计人 C-C·刘;J-Y·陆;S·谢;

    申请日2015-07-21

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人亓云

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:42:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-22

    授权

    授权

  • 2017-05-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20150721

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20150721

    实质审查的生效

  • 2017-04-19

    公开

    公开

  • 2017-04-19

    公开

    公开

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