copper; current density; electromigration; integrated circuit metallisation; voids (solid); Cu; critical current density effects; down-stream electron flow; dual-damascene vias; electromigration failure distributions; electromigration void morphologies;
机译:铜/低-k $双金属镶嵌通孔的电迁移失效分布:临界电流密度的影响和新的可靠性外推方法
机译:YBa_2Cu_3O_x涂层导体晶粒结构与临界电流密度分布关系的直接实验分析
机译:低氟化学溶液沉积法制备纳米复合YBa2Cu3 O7-x-BaZrO3薄膜中临界电流密度的场角依赖性的涡街模型分析
机译:Cu双镶嵌通孔电迁移失效分布对临界电流密度效应的分析与建模
机译:覆银(Bi,Pb)(2)Sr(2)Ca(2)Cu(2)O(3)超导带的材料加工,连通性,助焊剂固定和临界电流密度。
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:通孔导体几何形状对al:Cu导线电迁移失效的影响