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Analysis and modeling of critical current density effects on electromigration failure distributions of Cu dual-damascene vias

机译:Cu双镶嵌通孔电迁移失效分布对临界电流密度效应的分析与建模

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摘要

We investigate electromigration void morphologies, associated resistance increases and failure distributions for down-stream electron flow of Cu dual damascene via structures. We show that void formation occurs below the traditionally defined critical cur
机译:我们调查通过结构的Cu双镶嵌的下游电子流量的电迁移的空隙形态,相关的电阻增加和故障分布。我们表明,在传统上定义的关键CUR以下出现空隙形成

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