采用Al-Cu CVD的双镶嵌技术

摘要

NEC最近开发了新的布线技术。即：采用CVD沉积AlCu膜。它与原方法相比，大幅度减少了穿通电阻及制作工序。V：llS：I布线技术力求减小布线成本及穿通电阻。解决诸课题的方法是：在形成通孔和布线槽的层间介质膜上沉积金属，尔后，用CMP形成布线图形的镶嵌法。在本技术中，为了形成镶嵌结构中的微细、深通孔及布线槽，采用了台阶覆盖性较佳的CVD法。由此，可埋设宽0．18mp、深0．gmp的槽。而且，为了改善纯州布线中的难题——可靠性，采用了边添加Cll边淀积则膜来形成AICll合金膜。采用本技术形成的双镶嵌布线与原采用钨的通孔埋设方法相比，制作工序减少至3／4、穿通电阻约减小至1／3。直径为0．28m