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International Reliability Physics Symposium
International Reliability Physics Symposium
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1.
Keynote 1: The road to resilient computing in autonomous driving is paved with redundancy
机译:
主题演讲1:冗余铺平了自动驾驶弹性计算之路
作者:
Nirmal Saxena
;
Sanu Mathew
;
Krishna Saraswat
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
2.
Hot carrier effects on the RF performance degradation of nanoscale LNA SOI nFETs
机译:
热载流子对纳米级LNA SOI nFET射频性能下降的影响
作者:
D. P. Ioannou
;
Y. Tan
;
R. Logan
;
K. Bandy
;
R. Achanta
;
P.C. Wang
;
D. Brochu
;
M. Jaffe
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Degradation;
Stress;
Radio frequency;
Logic gates;
Human computer interaction;
Correlation;
MOSFET;
3.
Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN high electron mobility transistors
机译:
GaN高电子迁移率晶体管中异常栅泄漏退化的潜在机理的综合研究
作者:
K. Mukherjee
;
F. Darracq
;
A. Curutchet
;
N. Malbert
;
N. Labat
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Aging;
Logic gates;
Gallium nitride;
Electric fields;
Tunneling;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
4.
The first observation of p-type electromigration failure in full ruthenium interconnects
机译:
完整钌互连中p型电迁移失效的首次观察
作者:
Sofie Beyne
;
Shibesh Dutta
;
Olalla Varela Pedreira
;
Niels Bosman
;
Christoph Adelmann
;
Ingrid De Wolf
;
Zsolt Tőkei
;
Kristof Croes
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Electromigration;
Metals;
Resistance;
Anodes;
Wires;
Temperature measurement;
Heating systems;
5.
Characterization and physical modeling of the temporal evolution of near-interfacial states resulting from NBTI/PBTI stress in nMOS/pMOS transistors
机译:
nMOS / pMOS晶体管中NBTI / PBTI应力导致的近界面态时间演化的表征和物理建模
作者:
T. Grasser
;
B. Stampfer
;
M. Waltl
;
G. Rzepa
;
K. Rupp
;
F. Schanovsky
;
G. Pobegen
;
K. Puschkarsky
;
H. Reisinger
;
B. OSullivan
;
B. Kaczer
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Lead;
Frequency measurement;
Logic gates;
MOS devices;
Degradation;
Voltage measurement;
Energy measurement;
6.
Stochastic modeling of air electrostatic discharge parameters
机译:
空气静电放电参数的随机建模
作者:
Yang Xiu
;
Samuel Sagan
;
Advika Battini
;
Xiao Ma
;
Maxim Raginsky
;
Elyse Rosenbaum
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Discharges (electric);
Electrostatic discharges;
Sparks;
Weapons;
Humidity;
Stochastic processes;
Testing;
7.
An integral injector-victim current transfer model for latchup design rule optimization
机译:
用于闩锁设计规则优化的积分式喷油器-受害者电流转移模型
作者:
Guido Quax
;
Theo Smedes
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Detectors;
Semiconductor device modeling;
Current measurement;
Stress;
Electrostatic discharges;
Substrates;
Computational modeling;
8.
Understanding and modeling transient threshold voltage instabilities in SiC MOSFETs
机译:
了解和建模SiC MOSFET中的瞬态阈值电压不稳定性
作者:
Katja Puschkarsky
;
Tibor Grasser
;
Thomas Aichinger
;
Wolfgang Gustin
;
Hans Reisinger
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Stress;
Logic gates;
Stress measurement;
Silicon carbide;
Hysteresis;
Switches;
9.
Machine learning based dynamic cause maps for condition monitoring and life estimation
机译:
基于机器学习的动态原因图,用于状态监测和寿命估算
作者:
Amit A. Kale
;
Amit Marathe
;
Ajay Kamath
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Data models;
Predictive models;
Physics;
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Reliability;
Load modeling;
10.
Exascale fault tolerance challenge and approaches
机译:
Exascale容错挑战和方法
作者:
Cameron McNairy
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Transistors;
Supercomputers;
Fault tolerance;
Fault tolerant systems;
Circuit faults;
Tools;
Computer architecture;
11.
Single pulse short-circuit robustness and repetitive stress aging of GaN GITs
机译:
GaN GIT的单脉冲短路鲁棒性和重复应力老化
作者:
Alberto Castellazzi
;
Asad Fayyaz
;
Siwei Zhu
;
Thorsten Oeder
;
Martin Pfost
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Robustness;
Temperature measurement;
HEMTs;
MODFETs;
12.
Key attributes to achieving > 99.99 satellite availability
机译:
实现> 99.99卫星可用性的关键属性
作者:
Brian Kosinski
;
Ken Dodson
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Band-pass filters;
13.
Prognostics health management of electronic systems — A reliability physics approach
机译:
电子系统的预测健康管理—可靠性物理方法
作者:
A. Pradeep Lall
;
B. Kazi Mirza
;
C. David Locker
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Strain;
Soldering;
Temperature measurement;
Mathematical model;
Aging;
Strain measurement;
Reliability;
14.
Insights into metal drift induced failure in MOL and BEOL
机译:
对金属漂移引起的MOL和BEOL失效的见解
作者:
C. Wu
;
O. Varela Pedreira
;
A. Leśniewska
;
Y. Li
;
I. Ciofi
;
Zs. Tőkei
;
K. Croes
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
TV;
Dielectrics;
Stress;
Metallization;
Acceleration;
Degradation;
15.
Time-dependent dielectric breakdown statistics in SiO
2
and HfO
2
dielectrics: Insights from a multi-scale modeling approach
机译:
SiO
2 inf>和HfO
2 inf>电介质中随时间变化的介电击穿统计:来自多尺度建模方法的见解
作者:
Andrea Padovani
;
Luca Larcher
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Dielectrics;
Degradation;
Kinetic theory;
Silicon;
Mathematical model;
Temperature measurement;
16.
Managing electrical reliability in consumer systems for improved energy efficiency
机译:
管理消费系统中的电气可靠性以提高能源效率
作者:
V. Huard
;
S. Mhira
;
A. Barclais
;
X. Lecocq
;
F. Raugi
;
M. Cantournet
;
A. Bravaix
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Reliability;
Temperature measurement;
Aging;
Temperature sensors;
Voltage control;
Monitoring;
Energy efficiency;
17.
Resilient automotive products through process, temperature and aging compensation schemes
机译:
通过工艺,温度和老化补偿方案使汽车产品具有弹性
作者:
S. Mhira
;
V. Huard
;
D. Arora
;
P. Flatresse
;
A. Bravaix
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Temperature sensors;
Temperature measurement;
Monitoring;
Aging;
Calibration;
Process control;
18.
Intra- and inter-chip electrical interconnection formed by directed self assembly of nanocomposite containing diblock copolymer and nanometal
机译:
通过含二嵌段共聚物和纳米金属的纳米复合材料的定向自组装形成的芯片内和芯片间电互连
作者:
M. Murugesan
;
T. Fukushima
;
J.C. Bea
;
H. Hashimoto
;
M. Koyanagi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Through-silicon vias;
Metals;
Silicon;
Etching;
Three-dimensional displays;
Large scale integration;
Stress;
19.
Fine pitch 3D interconnections with hybrid bonding technology: From process robustness to reliability
机译:
采用混合键合技术的精细间距3D互连:从过程稳健性到可靠性
作者:
L. Arnaud
;
S. Moreau
;
A. Jouve
;
I. Jani
;
D. Lattard
;
F. Fournel
;
C. Euvrard
;
Y. Exbrayat
;
V. Balan
;
N. Bresson
;
S. Lhostis
;
J. Jourdon
;
E. Deloffre
;
S. Guillaumet
;
A. Farcy
;
S. Gousseau
;
M. Arnoux
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Bonding;
Three-dimensional displays;
Copper;
Resistance;
Surface topography;
Surface treatment;
Rough surfaces;
20.
Lifetime evaluation for Hybrid-Drain-embedded Gate Injection Transistor (HD-GIT) under practical switching operations
机译:
实际开关操作下混合漏极嵌入式栅极注入晶体管(HD-GIT)的寿命评估
作者:
Ayanori Ikoshi
;
Masahiro Toki
;
Hiroto Yamagiwa
;
Daijiro Arisawa
;
Masahiro Hikita
;
Kazuki Suzuki
;
Manabu Yanagihara
;
Yasuhiro Uemoto
;
Kenichiro Tanaka
;
Tetsuzo Ueda
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Switches;
Switching circuits;
Gallium nitride;
Power transistors;
Acceleration;
Transistors;
Temperature;
21.
Hot electron and hot hole induced degradation of SiGe p-FinFETs studied by degradation maps in the entire bias space
机译:
SiGe p-FinFET的热电子和热空穴引起的退化,通过整个偏置空间中的退化图研究
作者:
J. Franco
;
B. Kaczer
;
A. Chasin
;
E. Bury
;
D. Linten
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Silicon germanium;
Silicon;
Degradation;
Stress;
Hot carriers;
Impact ionization;
Charge carrier processes;
22.
Role of electron and hole trapping in the degradation and breakdown of SiO
2
and HfO
2
films
机译:
电子和空穴俘获在SiO
2 inf>和HfO
2 inf>薄膜的降解和分解中的作用
作者:
D. Z. Gao
;
J. Strand
;
A.-M. El-Sayed
;
A. L. Shluger
;
A. Padovani
;
L. Larcher
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Ions;
Silicon;
Hafnium compounds;
Films;
Discrete Fourier transforms;
Electron traps;
Stress;
23.
Impact of slow and fast oxide traps on In
0.53
Ga
0.47
As device operation studied using CET maps
机译:
使用CET映射研究慢速和快速氧化物陷阱对In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As设备操作的影响
作者:
V. Putcha
;
J. Franco
;
A. Vais
;
B. Kaczer
;
S. Sioncke
;
D. Linten
;
G. Groeseneken
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Temperature measurement;
Indium gallium arsenide;
Reliability;
MOSFET;
Sociology;
24.
A new mechanism of signal path charging damage across separated power domain deep N-Well interface
机译:
跨独立电源域深N-Well接口的信号路径充电损坏的新机制
作者:
Yu-Lin Chu
;
Hsi-Yu Kuo
;
Sheng-Fu Hsu
;
Yung-Sheng Tsai
;
Ming-Yi Wang
;
Chuan-Li Chang
;
Bill Kiang
;
Kenneth Wu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
MOS devices;
Metals;
Antennas;
Gate leakage;
Junctions;
25.
Investigation of the endurance of FE-HfO
2
devices by means of TDDB studies
机译:
通过TDDB研究FE-HfO
2 inf>设备的耐久性
作者:
K. Florent
;
A. Subirats
;
S. Lavizzari
;
R. Degraeve
;
U. Celano
;
B. Kaczer
;
L. Di Piazza
;
M. Popovici
;
G. Groeseneken
;
J. Van Houdt
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Electric breakdown;
Electrodes;
Voltage measurement;
Hafnium compounds;
Temperature measurement;
Current measurement;
Hysteresis;
26.
Bottom-up methodology for predictive simulations of self-heating in aggressively scaled process technologies
机译:
自下而上的方法,可用于积极规模化工艺技术中的自热预测模拟
作者:
D. Singh
;
O. D. Restrepo
;
P. P. Manik
;
N. Rao Mavilla
;
H. Zhang
;
P. Paliwoda
;
S. Pinkett
;
Y. Deng
;
E. Cruz Silva
;
J. B. Johnson
;
M. Bajaj
;
S. Furkay
;
Z. Chbili
;
A. Kerber
;
C. Christiansen
;
S. Narasimha
;
E. Maciejewski
;
S. Samavedam
;
C.-H. Lin
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Thermal conductivity;
Scattering;
Conductivity;
Thermal resistance;
Phonons;
Heating systems;
27.
Transistor reliability characterization and modeling of the 22FFL FinFET technology
机译:
22FFL FinFET技术的晶体管可靠性表征和建模
作者:
C.-Y. Su
;
M. Armstrong
;
L. Jiang
;
S. A. Kumar
;
C. D. Landon
;
S. Liu
;
I. Meric
;
K. W. Park
;
L. Paulson
;
K. Phoa
;
B. Sell
;
J. Standfest
;
K. B. Sutaria
;
J. Wan
;
D. Young
;
S. Ramey
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Human computer interaction;
Logic gates;
MOS devices;
Reliability;
Stress;
Aging;
Performance evaluation;
28.
Prediction of NBTI stress and recovery time kinetics in Si capped SiGe p-MOSFETs
机译:
Si覆盖的SiGe p-MOSFET中NBTI应力和恢复时间动力学的预测
作者:
Narendra Parihar
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Silicon;
Kinetic theory;
Silicon germanium;
Logic gates;
Electron traps;
Predictive models;
29.
A systematic study of gate dielectric TDDB in FinFET technology
机译:
FinFET技术中栅极电介质TDDB的系统研究
作者:
Hyunjin Kim
;
Minjung Jin
;
Hyunchul Sagong
;
Jinju Kim
;
Ukjin Jung
;
Minhyuck Choi
;
Junekyun Park
;
Sangchul Shin
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Logic gates;
Integrated circuit reliability;
Tunneling;
FinFETs;
30.
Investigation of data pattern effects on nitride charge lateral migration in a charge trap flash memory by using a random telegraph signal method
机译:
使用随机电报信号方法研究数据模式对电荷陷阱闪存中氮化物电荷横向迁移的影响
作者:
Y. H. Liu
;
H. Y. Lin
;
C. M. Jiang
;
Tahui Wang
;
W. J. Tsai
;
T. C. Lu
;
K. C. Chen
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Electron traps;
Tunneling;
Electric fields;
Voltage measurement;
SONOS devices;
Silicon compounds;
31.
Reliability benefits of a metallic liner in confined PCM
机译:
密闭PCM中金属衬里的可靠性优势
作者:
W. Kim
;
S. Kim
;
R. Bruce
;
F. Carta
;
G. Fraczak
;
A. Ray
;
C. Lam
;
M. BrightSky
;
Y. Zhu
;
T. Masuda
;
K. Suu
;
Y. Xie
;
Y. Kim
;
J. J. Cha
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Phase change materials;
Programming;
Resistance;
Switches;
Conductivity;
Electrical resistance measurement;
Reliability;
32.
Understanding gate metal work function (mWF) impact on device reliability — A holistic approach
机译:
了解栅极金属功函数(mWF)对器件可靠性的影响—整体方法
作者:
P. Srinivasan
;
R. Ranjan
;
S. Cimino
;
A. Zainuddin
;
B. Kannan
;
L. Pantisano
;
I. Mahmud
;
G. Dilliway
;
T. Nigam
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Degradation;
Human computer interaction;
Correlation;
High-k dielectric materials;
Stress;
Modulation;
33.
A multi-bit/cell PUF using analog breakdown positions in CMOS
机译:
使用CMOS中的模拟击穿位置的多位/单元PUF
作者:
K.-H. Chuang
;
E. Bury
;
R. Degraeve
;
B. Kaczer
;
T. Kallstenius
;
G. Groeseneken
;
D. Linten
;
I. Verbauwhede
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Electric breakdown;
Logic gates;
Thermal stability;
Current measurement;
Entropy;
Heating systems;
34.
Device variability tolerance of a RRAM-based self-organizing neuromorphic system
机译:
基于RRAM的自组织神经形态系统的设备变异容差
作者:
M. Pedro
;
J. Martin-Martinez
;
E. Miranda
;
R. Rodriguez
;
M. Nafria
;
M. B. Gonzalez
;
F. Campabadal
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Conductivity;
Neurons;
Neuromorphics;
Self-organizing feature maps;
Performance evaluation;
Image color analysis;
Computational modeling;
35.
Correlation between SET-state current level and read-disturb failure time in a resistive switching memory
机译:
阻性开关存储器中SET状态电流水平与读扰动时间之间的相关性
作者:
P. C. Su
;
C. M. Jiang
;
C. W. Wang
;
Tahui Wang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Tunneling;
Current measurement;
Switches;
Reactive power;
Computer architecture;
Electron traps;
Temperature measurement;
36.
Evaluation on flip-flop physical unclonable functions in a 14/16-nm bulk FinFET technology
机译:
在14 / 16-nm体FinFET技术中评估触发器的物理不可克隆功能
作者:
H. Zhang
;
H. Jiang
;
M. R. Eaker
;
K. J. Lezon
;
B. Narasimham
;
N. N. Mahatme
;
L. W. Massengill
;
B. L. Bhuva
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Reliability engineering;
Integrated circuits;
High definition video;
Performance evaluation;
Temperature measurement;
Aging;
37.
A new method for quickly evaluating reversible and permanent components of the BTI degradation
机译:
快速评估BTI降解的可逆和永久成分的新方法
作者:
X. Garros
;
A. Subirats
;
G. Reimbold
;
F. Gaillard
;
C. Diouf
;
X. Federspiel
;
V. Huard
;
M. Rafik
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Silicon;
Analytical models;
Silicon-on-insulator;
Silicon germanium;
38.
Sensitivity to soft errors of NMOS and PMOS transistors evaluated by latches with stacking structures in a 65 nm FDSOI process
机译:
在65 nm FDSOI工艺中,通过具有堆叠结构的锁存器评估了NMOS和PMOS晶体管对软错误的敏感性
作者:
Kodai Yamada
;
Haruki Maruoka
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
MOSFET;
Ions;
Latches;
Radiation effects;
Neutrons;
Silicon-on-insulator;
39.
A novel GaN HEMT degradation mechanism observed during HTST test
机译:
在HTST测试中观察到一种新颖的GaN HEMT降解机理
作者:
F. Iucolano
;
A. Parisi
;
S. Reina
;
A. Chini
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Degradation;
Stress;
Temperature dependence;
Logic gates;
HEMTs;
Temperature measurement;
Failure analysis;
40.
On the ESD behavior of a-Si:H based thin film transistors: Physical insights, design and technological implications
机译:
基于a-Si:H的薄膜晶体管的ESD行为:物理见解,设计和技术含义
作者:
Rajat Sinha
;
Prasenjit Bhattacharya
;
Sanjiv Sambandan
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Electrostatic discharges;
Breakdown voltage;
Degradation;
Voltage measurement;
41.
A novel insight of pBTI degradation in GaN-on-Si E-mode MOSc-HEMT
机译:
硅基氮化镓E型MOSc-HEMT中pBTI降解的新见解
作者:
W. Vandendaele
;
X. Garros
;
T. Lorin
;
E. Morvan
;
A. Torres
;
R. Escoffier
;
M A Jaud
;
M. Plissonnier
;
F. Gaillard
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Logic gates;
Degradation;
Gallium nitride;
Stress measurement;
Time measurement;
Silicon;
42.
Reliability studies of a 10nm high-performance and low-power CMOS technology featuring 3rd generation FinFET and 5th generation HK/MG
机译:
具有第三代FinFET和第五代HK / MG的10nm高性能和低功耗CMOS技术的可靠性研究
作者:
Anisur Rahman
;
Javier Dacuna
;
Pinakpani Nayak
;
Gerald Leatherman
;
Stephen Ramey
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Transistors;
Integrated circuit reliability;
Aging;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
43.
A case study of ESD trigger circuit: Time-out and stability
机译:
ESD触发电路的案例研究:超时和稳定性
作者:
Kuo-Hsuan Meng
;
Mohamed Moosa
;
Cynthia Torres
;
Jim Miller
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Electrostatic discharges;
Power supplies;
Trigger circuits;
Impedance;
Oscillators;
Pulse generation;
Clamps;
44.
Percolation defect nucleation and growth as a description of the statistics of electrical breakdown for gate, MOL and BEOL dielectrics
机译:
渗漏缺陷成核和生长,作为栅极,MOL和BEOL电介质击穿统计的描述
作者:
Yi Ching Ong
;
Shou-Chung Lee
;
A. S. Oates
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Dielectrics;
Logic gates;
Stress;
Electric breakdown;
Integrated circuit reliability;
FinFETs;
45.
Threshold voltage bitmap analysis methodology: Application to a 512kB 40nm Flash memory test chip
机译:
阈值电压位图分析方法:在512kB 40nm闪存测试芯片中的应用
作者:
T. Kempf
;
V. Della Marca
;
L. Baron
;
F. Maugain
;
F. La Rosa
;
S. Niel
;
A. Regnier
;
J.-M. Portal
;
P. Masson
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Threshold voltage;
Reliability;
Organizations;
Flash memories;
Sociology;
46.
System-level design for ESD protection on multiple IO interfaces
机译:
用于多个IO接口的ESD保护的系统级设计
作者:
Pengyu Wei
;
Javad Meiguni
;
David Pommerenke
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Universal Serial Bus;
Flexible printed circuits;
Electrostatic discharges;
Connectors;
Integrated circuit modeling;
Cable TV;
47.
Elapsed-time statistics of successive breakdown in the presence of variability for dielectric breakdown in BEOL/MOL/FEOL applications
机译:
在BEOL / MOL / FEOL应用中存在介电击穿的可变性的情况下,连续击穿的经过时间统计
作者:
Ernest Y. Wu
;
Andrew Kim
;
Baozhen Li
;
James H. Stathis
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Dielectrics;
Electric breakdown;
Logic gates;
Data models;
Transient analysis;
Simulation;
Reliability;
48.
Study on mechanism of thermal curing in ultra-thin gate dielectrics
机译:
超薄栅介质的热固化机理研究
作者:
Yuichiro Mitani
;
Yusuke Higashi
;
Yasushi Nakasaki
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Curing;
Iterative closest point algorithm;
Stress;
Correlation;
Logic gates;
Thermal stresses;
Annealing;
49.
Brief history of JEDEC qualification standards for silicon technology and their applicability(?) to WBG semiconductors
机译:
JEDEC硅技术认证标准的简要历史及其在WBG半导体中的适用性(?)
作者:
J. W. McPherson
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Standards;
Qualifications;
Reliability;
Silicon;
Failure analysis;
Stress;
50.
Physical failure analysis methods for wide band gap semiconductor devices
机译:
宽带隙半导体器件的物理故障分析方法
作者:
Andreas Graff
;
Michél Simon-Najasek
;
David Poppitz
;
Frank Altmann
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Metals;
Gallium nitride;
Scanning electron microscopy;
Failure analysis;
Optical microscopy;
HEMTs;
51.
Airplane system design for reliability and quality
机译:
飞机系统设计的可靠性和质量
作者:
Anapathur V. Ramesh
;
Shilpa M. Reddy
;
Dan K. Fitzsimmons
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Airplanes;
Resource management;
Measurement;
Maintenance engineering;
Reliability engineering;
Mathematical model;
52.
Machine-learned assessment and prediction of robust solid state storage system reliability physics
机译:
鲁棒固态存储系统可靠性物理的机器学习评估和预测
作者:
Jay Sarkar
;
Cory Peterson
;
Amir Sanayei
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Acceleration;
Throughput;
Reliability engineering;
Robustness;
53.
Permanent shunts from passing shadows: Reverse-bias damage in thin-film photovoltaic modules
机译:
穿过阴影的永久旁路:薄膜光伏模块中的反向偏置损坏
作者:
Timothy J Silverman
;
Steve Johnston
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Photovoltaic systems;
Renewable energy sources;
Government;
Photovoltaic cells;
Monolithic integrated circuits;
Cleaning;
54.
In-situ calibration Of MEMS inertial sensors for long-term reliability
机译:
MEMS惯性传感器的原位校准可确保长期可靠性
作者:
Sachin Nadig
;
Amit Lal
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Gyroscopes;
Calibration;
Sensors;
Voltage measurement;
Frequency measurement;
Micromechanical devices;
Acceleration;
55.
Fast chip aging prediction by product-like VMIN drift characterization on test structures
机译:
通过在测试结构上进行类似产品的VMIN漂移表征来快速预测芯片老化
作者:
S. E. Liu
;
G. Y. Chen
;
M. K. Chen
;
David. Yen
;
W. A. Kuo
;
C. S. Fu
;
Y. S. Tsai
;
M. Z. Lin
;
Y. H. Fang
;
M. J. Lin
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Aging;
Semiconductor device measurement;
Degradation;
Reliability;
Transistors;
Voltage measurement;
56.
On the origin of the leakage current in p-gate AlGaN/GaN HEMTs
机译:
关于p栅极AlGaN / GaN HEMT中泄漏电流的起因
作者:
A. Stockman
;
E. Canato
;
A. Tajalli
;
M. Meneghini
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
;
P. Moens
;
B. Bakeroot
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Leakage currents;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Temperature measurement;
57.
Scaling trends and bias dependence of the soft error rate of 16 nm and 7 nm FinFET SRAMs
机译:
16 nm和7 nm FinFET SRAM的软错误率的缩放趋势和偏置依赖性
作者:
Balaji Narasimham
;
Saket Gupta
;
Dan Reed
;
J. K. Wang
;
Nick Hendrickson
;
Hasan Taufique
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Market research;
Neutrons;
Random access memory;
Alpha particles;
Voltage control;
Voltage measurement;
58.
High-density fan-out technology for advanced SiP and 3D heterogeneous integration
机译:
高密度扇出技术可实现高级SiP和3D异构集成
作者:
KangWook Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Substrates;
Packaging;
Semiconductor device reliability;
Dielectrics;
Wafer scale integration;
59.
Analysis of electromigration-induced backflow stresses in Cu(Mn) interconnects using high statistical sampling
机译:
使用高统计采样分析Cu(Mn)互连中电迁移引起的回流应力
作者:
M. Kraatz
;
C. Sander
;
A. Clausner
;
M. Hauschildt
;
Y. Standke
;
M. Gall
;
E. Zschech
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Resistance;
Current density;
Cathodes;
Bridges;
Fitting;
Anodes;
60.
Accelerated BTI degradation under stochastic TDDB effect
机译:
随机TDDB效应下BTI加速降解
作者:
Devyani Patra
;
Ahmed Kamal Reza
;
Mehdi Katoozi
;
Ethan H. Cannon
;
Kaushik Roy
;
Yu Cao
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Acceleration;
Stress;
Degradation;
Stochastic processes;
Aging;
Correlation;
61.
BV
DSS
(drain to source breakdown voltage) instability in shielded gate trench power MOSFETs
机译:
屏蔽栅沟槽功率MOSFET中的BV
DSS inf>(漏极至源极击穿电压)不稳定
作者:
Jifa Hao
;
Amartya Ghosh
;
Mark Rinehimer
;
Joe Yedinak
;
Muhammad A. Alam
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Logic gates;
Temperature measurement;
MOSFET;
Current measurement;
Stress measurement;
Time measurement;
62.
Study of impact of BTI's local layout effect including recovery effect on various standard-cells in 10nm FinFET
机译:
研究BTI的局部布局效应(包括恢复效应)对10nm FinFET中各种标准单元的影响
作者:
Mitsuhiko Igarashi
;
Yuuki Uchida
;
Yoshio Takazawa
;
Yasumasa Tsukamoto
;
Koji Shibutani
;
Koji Nii
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Degradation;
Layout;
Logic circuits;
FinFETs;
Sensitivity;
Temperature measurement;
63.
Reliability evaluation of defect accounted time-dependent dielectric breakdown with competing-mixture distribution
机译:
具有竞争混合物分布的缺陷占时间的介电击穿的可靠性评估
作者:
Shinji Yokogawa
;
Kazuki Tate
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Shape;
Reliability;
Weibull distribution;
Distribution functions;
Sociology;
Mixture models;
64.
Enhanced reliability of hexagonal boron nitride dielectric stacks due to high thermal conductivity
机译:
六角形氮化硼介电堆栈的高导热性提高了可靠性
作者:
Xianhu Liang
;
Bin Yuan
;
Yuanyuan Shi
;
Fei Hui
;
Xu Jing
;
Mario Lanza
;
Felix Palumbo
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Dielectrics;
Boron;
Reliability;
Two dimensional displays;
Dielectric breakdown;
Thermal conductivity;
Electrodes;
65.
Method to assess the impact of LER and spacing variation on BEOL dielectric reliability using 2D-field simulations for <20nm spacing
机译:
使用小于20nm间距的2D场模拟评估LER和间距变化对BEOL介电可靠性的影响的方法
作者:
D. Kocaay
;
Ph. Roussel
;
K. Croes
;
I. Ciofi
;
A. Lesniewska
;
I. De Wolf
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Reliability;
Acceleration;
Dielectrics;
Metals;
Electric breakdown;
Semiconductor device modeling;
66.
Modeling self-heating effects in advanced CMOS nodes
机译:
建模高级CMOS节点中的自热效应
作者:
M. Arabi
;
A. Cros
;
X. Federspiel
;
C. Ndiaye
;
V. Huard
;
M. Rafik
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Metals;
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Thermal conductivity;
Heating systems;
Thermal resistance;
67.
Error elimination ECC by horizontal error detection and vertical-LDPC ECC to increase data-retention time by 230 and acceptable bit-error rate by 90 for 3D-NAND flash SSDs
机译:
通过水平错误检测和垂直LDPC ECC来消除错误的ECC,从而使3D-NAND闪存SSD的数据保留时间增加230%,可接受的误码率提高90%
作者:
Shun Suzuki
;
Yoshiaki Deguchi
;
Toshiki Nakamura
;
Kyoji Mizoguchi
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Flash memories;
Parity check codes;
Error correction codes;
Reliability;
Error correction;
Three-dimensional displays;
Erbium;
68.
Effect of HCI degradation on the variability of MOSFETS
机译:
HCI退化对MOSFETS变异性的影响
作者:
C. Zhou
;
K. A. Jenkins
;
P.I. Chuang
;
C. Vezyrtzis
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Current measurement;
Degradation;
Voltage measurement;
Human computer interaction;
Stress measurement;
Threshold voltage;
69.
Single-event effects on optical transceiver
机译:
单事件对光收发器的影响
作者:
K. J. Lezon
;
S.-J. Wen
;
Y.-F. Dan
;
R. Wong
;
B. L. Bhuva
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Adaptive optics;
Transient analysis;
Optical switches;
Neutrons;
Optical sensors;
Optical transmitters;
Integrated optics;
70.
Threshold voltage shift and interface/border trapping mechanism in Al
2
O
3
/AlGaN/GaN MOS-HEMTs
机译:
Al
2 inf> O
3 inf> / AlGaN / GaN MOS-HEMT中的阈值电压漂移和界面/边界俘获机制
作者:
Jiejie Zhu
;
Bin Hou
;
Lixiang Chen
;
Qing Zhu
;
Ling Yang
;
Xiaowei Zhou
;
Peng Zhang
;
Xiaohua Ma
;
Yue Hao
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Electron traps;
HEMTs;
Capacitance-voltage characteristics;
MODFETs;
Transient analysis;
Aluminum oxide;
71.
Investigation of degradation phenomena in GaN-on-Si power MIS-HEMTs under source current and drain bias stresses
机译:
在源极电流和漏极偏置应力下研究GaN-on-Si功率MIS-HEMT的退化现象
作者:
Chih-Yi Yang
;
Tian-Li Wu
;
Tin-En Hsieh
;
Edward Yi Chang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Degradation;
Logic gates;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Gallium nitride;
Dielectrics;
72.
The physics of NBTI: What do we really know?
机译:
NBTI的物理学:我们真正知道什么?
作者:
James H. Stathis
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Data models;
Interface states;
Silicon;
Logic gates;
73.
Defects affecting SiC power device reliability
机译:
影响SiC功率器件可靠性的缺陷
作者:
R. E. Stahbush
;
N. A. Mahadik
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stacking;
Silicon carbide;
Substrates;
Epitaxial layers;
Reliability;
Annealing;
Degradation;
74.
Reliability characterization of advanced CMOS image sensor (CIS) with 3D stack and in-pixel DTI
机译:
具有3D堆栈和像素内DTI的高级CMOS图像传感器(CIS)的可靠性表征
作者:
Younggeun Ji
;
Jeonghoon Kim
;
Jungin Kim
;
Miji Lee
;
Jaeheon Noh
;
Taeyoung Jeong
;
Juhyeon Shin
;
Junho Kim
;
Young Heo
;
Ung Cho
;
Hyunchul Sagong
;
Junekyun Park
;
Yeonsik Choo
;
Gilhwan Do
;
Hoyoung Kang
;
Eunkyeong Choi
;
Dongyoon Sun
;
Changki Kang
;
Sangchul Shin
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Reliability;
Optimization;
CMOS image sensors;
Transistors;
Degradation;
Three-dimensional displays;
75.
Impact of supply voltage and particle LET on the soft error rate of logic circuits
机译:
电源电压和粒子LET对逻辑电路软错误率的影响
作者:
H. Jiang
;
H. Zhang
;
R. C. Harrington
;
J. A. Maharrey
;
J. S. Kauppila
;
L. W. Massengill
;
B. L. Bhuva
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic circuits;
Logic gates;
Error analysis;
FinFETs;
Shift registers;
Transient analysis;
Flip-flops;
76.
Evaluation of the system-level SER performance of gigabit ethernet transceiver devices
机译:
评估千兆位以太网收发器设备的系统级SER性能
作者:
Balaji Narasimham
;
Tim Wu
;
J. K. Wang
;
Bruce Conway
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Transceivers;
Flip-flops;
Registers;
Loss measurement;
Measurement uncertainty;
Semiconductor device measurement;
Switches;
77.
Reliability challenges in advance packaging
机译:
预先包装中的可靠性挑战
作者:
Subramanian S. Iyer
;
Adeel Ahmad Bajwa
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Reliability;
Packaging;
Silicon;
Stress;
Metals;
Moisture;
Passivation;
78.
Safe Operating Area (SOA) reliability of Polarization Super Junction (PSJ) GaN FETs
机译:
极化超结(PSJ)GaN FET的安全工作区(SOA)可靠性
作者:
Bhawani Shankar
;
Ankit Soni
;
Sayak Dutta Gupta
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Degradation;
Gallium nitride;
Junctions;
Field effect transistors;
Silicon;
79.
PBTI in InGaAs MOS capacitors with Al
2
O
3
/HfO
2
/TiN gate stacks: Interface-state generation
机译:
具有Al
2 inf> O
3 inf> / HfO
2 inf> / TiN栅叠层的InGaAs MOS电容器中的PBTI:接口状态生成
作者:
Eduard Cartier
;
Martin M. Frank
;
Takashi Ando
;
John Rozen
;
Vijay Narayanan
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Logic gates;
Indium gallium arsenide;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Annealing;
Stress measurement;
80.
Reliability perspective of resistive synaptic devices on the neuromorphic system performance
机译:
抵抗性突触设备对神经形态系统性能的可靠性观点
作者:
Pai-Yu Chen
;
Shimeng Yu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Degradation;
Reliability;
Tuning;
Artificial neural networks;
Random access memory;
Nonvolatile memory;
Training;
81.
Effects of Far-BEOL anneal on the WLR and product reliability characterization of FinFET process technology
机译:
Far-BEOL退火对WLR的影响以及FinFET工艺技术的产品可靠性表征
作者:
Hyun Chul Sagong
;
Hyunjin Kim
;
Seungjin Choo
;
Sungyoung Yoon
;
Hyewon Shim
;
Sangsu Ha
;
Tae-Young Jeong
;
Minhyeok Choe
;
Junekyun Park
;
Sangchul Shin
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Human computer interaction;
Reliability;
Stress;
Degradation;
FinFETs;
Logic gates;
82.
Optimal design of dummy ball array in wafer level package to improve board level thermal cycle reliability (BLR)
机译:
优化晶圆级封装中的虚拟球阵列以提高板级热循环可靠性(BLR)
作者:
Seongwon Jeong
;
Jinseok Kim
;
Ayoung Kim
;
Byungwook Kim
;
Moonsoo Lee
;
Jaewon Chang
;
In Hak Baick
;
Hanbyul Kang
;
Younggeun Ji
;
Sangchul Shin
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Electronic packaging thermal management;
Semiconductor device reliability;
Simulation;
Temperature measurement;
X-ray imaging;
83.
New insights into the HCI degradation of pass-gate transistor in advanced FinFET technology
机译:
先进的FinFET技术对传输门晶体管的HCI降级的新见解
作者:
Pengpeng Ren
;
Changze Liu
;
Sanping Wan
;
Jiayang Zhang
;
Zhuoqing Yu
;
Nie Liu
;
Yongsheng Sun
;
Runsheng Wang
;
Canhui Zhan
;
Zhenghao Gan
;
Waisum Wong
;
Yu Xia
;
Ru Huang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Degradation;
Human computer interaction;
Integrated circuit modeling;
FinFETs;
Stress;
Reliability;
84.
Investigation of monolayer MX
2
as sub-nanometer copper diffusion barriers
机译:
单层MX
2 inf>作为亚纳米铜扩散阻挡层的研究
作者:
Kirby K. H. Smithe
;
Zhongwei Zhu
;
Connor S. Bailey
;
Eric Pop
;
Alex Yoon
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Sulfur;
Molybdenum;
Annealing;
Substrates;
Metals;
Scanning electron microscopy;
85.
Charge state evaluation of passivation layers for silicon solar cells by scanning nonlinear dielectric microscopy
机译:
通过扫描非线性介电显微镜评估硅太阳能电池钝化层的电荷状态
作者:
K. Kakikawa
;
Y. Yamagishi
;
Y. Cho
;
K. Tanahashi
;
H. Takato
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Annealing;
Silicon;
Microscopy;
Capacitance;
Dielectrics;
Passivation;
Aluminum oxide;
86.
Investigation of alpha-induced single event transient (SET) in 10 nm FinFET logic circuit
机译:
研究10 nm FinFET逻辑电路中由α引起的单事件瞬变(SET)
作者:
Taiki Uemura
;
Soonyoung Lee
;
Dahye Min
;
Ihlhwa Moon
;
Jungman Lim
;
Seungbae Lee
;
Hyun Chul Sagong
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Clocks;
Error analysis;
Single event upsets;
Integrated circuit reliability;
Shift registers;
87.
Investigation on the amplitude coupling effect of random telegraph noise (RTN) in nanoscale FinFETs
机译:
纳米级FinFET中随机电报噪声(RTN)的幅度耦合效应研究
作者:
Shaofeng Guo
;
Zhenghan Lin
;
Runsheng Wang
;
Zexuan Zhang
;
Zhe Zhang
;
Yangyuan Wang
;
Ru Huang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Couplings;
FinFETs;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Human computer interaction;
Stress;
Market research;
88.
Failure mode analysis of GaN-HEMT under high temperature operation
机译:
高温下GaN-HEMT的失效模式分析
作者:
Yasuyo Kurachi
;
Hiroshi Yamamoto
;
Yukinori Nose
;
Satoshi Shimizu
;
Yasunori Tateno
;
Takumi Yonemura
;
Masato Furukawa
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Gallium nitride;
Microscopy;
Crystals;
Heat treatment;
Spectroscopy;
Distortion;
Logic gates;
89.
Ambient temperature and layout impact on self-heating characterization in FinFET devices
机译:
环境温度和布局对FinFET器件的自发热特性产生影响
作者:
P. Paliwoda
;
Z. Chbili
;
A. Kerber
;
D. Singh
;
D. Misra
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Heating systems;
Temperature sensors;
Silicon;
Resistance;
FinFETs;
Reliability;
90.
Reliability of dual-damascene local interconnects featuring cobalt on 10 nm logic technology
机译:
采用10 nm逻辑技术的钴的双镶嵌局部互连的可靠性
作者:
F. Griggio
;
J. Palmer
;
F. Pan
;
N. Toledo
;
A. Schmitz
;
I. Tsameret
;
R. Kasim
;
G. Leatherman
;
J. Hicks
;
A. Madhavan
;
J. Shin
;
J. Steigerwald
;
A. Yeoh
;
C. Auth
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Reliability;
Stress;
Electromigration;
Current density;
Metallization;
91.
Cap layer and multi-work-function tuning impact on TDDB/BTI in SOI FinFET devices
机译:
覆盖层和多功能调整对SOI FinFET器件中TDDB / BTI的影响
作者:
Wen Liu
;
Andreas Kerber
;
Fernando Guarin
;
Claude Ortolland
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Tuning;
Logic gates;
Leakage currents;
Reliability;
Metals;
FinFETs;
Dielectrics;
92.
The effects of radiation on the terrestrial operation of SiC MOSFETs
机译:
辐射对SiC MOSFET地面操作的影响
作者:
Akin Akturk
;
James McGarrity
;
Neil Goldsman
;
Daniel J. Lichtenwalner
;
Brett Hull
;
Dave Grider
;
Richard Wilkins
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Neutrons;
Silicon carbide;
MOSFET;
Terrestrial atmosphere;
Earth;
Cosmic rays;
Monitoring;
93.
Latch-up in FinFET technologies
机译:
FinFET技术的锁存
作者:
Krzysztof Domanski
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Resistance;
Substrates;
Thyristors;
Geometry;
Layout;
94.
Evaluation methodology for current collapse phenomenon of GaN HEMTs
机译:
GaN HEMT电流崩塌现象的评估方法
作者:
Toru Sugiyama
;
Kohei Oasa
;
Yasunobu Saito
;
Akira Yoshioka
;
Takuo Kikuchi
;
Aya Shindome
;
Tatsuya Ohguro
;
Takeshi Hamamoto
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Stress;
Switches;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Voltage measurement;
Epitaxial growth;
95.
Defect-Assisted Safe Operating Area Limits and High Current Failure in Graphene FETs
机译:
石墨烯FET中的缺陷辅助安全工作区域限制和大电流故障
作者:
N. K. Kranthi
;
Abhishek Mishra
;
Adil Meersha
;
Harsha B. Variar
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Stress;
Logic gates;
Degradation;
Current measurement;
Voltage measurement;
Field effect transistors;
96.
Degradation of vertical GaN FETs under gate and drain stress
机译:
栅极和漏极应力下垂直GaN FET的性能下降
作者:
M. Ruzzarin
;
M. Meneghini
;
C. De Santi
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
;
M. Sun
;
T. Palacios
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Threshold voltage;
Gallium nitride;
Aluminum oxide;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
97.
On the trap assisted stress induced safe operating area limits of AlGaN/GaN HEMTs
机译:
关于陷阱辅助应力诱导的AlGaN / GaN HEMT的安全工作区域限制
作者:
Bhawani Shankar
;
Ankit Soni
;
Sayak Dutta Gupta
;
R. Sengupta
;
H. Khand
;
N. Mohan
;
Srinivasan Raghavan
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Degradation;
HEMTs;
MODFETs;
Gallium nitride;
Electric fields;
98.
Electromigration characteristics of power grid like structures
机译:
电网状结构的电迁移特性
作者:
Baozhen Li
;
Andrew Kim
;
Paul McLaughlin
;
Barry Linder
;
Cathryn Christiansen
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Power grids;
Periodic structures;
Resistance;
Legged locomotion;
Stress;
Metals;
Reliability;
99.
Reliability challenges for 2.5D/3D integration: An overview
机译:
2.5D / 3D集成的可靠性挑战:概述
作者:
C S Premachandran
;
Seungman Choi
;
Salvatore Cimino
;
Thuy Tran-Quinn
;
Lloyd Burrell
;
Patrick Justison
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Through-silicon vias;
Three-dimensional displays;
Semiconductor device reliability;
Silicon;
Copper;
100.
TSV process-induced MOS reliability degradation
机译:
TSV工艺导致的MOS可靠性下降
作者:
Yunlong Li
;
Michele Stucchi
;
Stefaan Van Huylenbroeck
;
Geert Van Der Plas
;
Gerald Beyer
;
Eric Beyne
;
Kristof Croes
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2018年
关键词:
Through-silicon vias;
MOS capacitors;
Metals;
Plasmas;
Degradation;
Leakage currents;
Layout;
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