一种三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备方法

摘要

本发明涉及半导体存储器及其制造技术领域，具体涉及一种三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备方法。本发明选用忆阻薄膜材料为单晶薄膜材料，采用聚合物进行晶圆键合，代替传统离子注入剥离法常用的SiO₂亲水性键合，结合局部Ar⁺离子注入对交叉阵列进行氧空位掺杂，再通过多次键合剥离的步骤，最终获得具有三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列，每一步键合剥离的过程均不需要额外制备SiO₂或Si₃N₄钝化层对交叉阵列进行隔离保护，省去化学机械抛光的过程，简化工艺流程。本发明相对现有三维堆叠结构的单晶薄膜忆阻交叉阵列制备工艺，降低了工艺难度，并简化了工艺流程。