声明
第一章 绪论
1.1 忆阻器的定义及基本概念
1.2 忆阻器的研究背景以及国内外研究现状
1.2.1 研究背景
1.2.2 忆阻器的研究现状
1.3 忆阻器阵列面临的问题
1.4 本文的主要内容
第二章 实验方法与表征测试
2.1 单晶忆阻阵列的结构与总体研究方案
2.2 铌酸锂忆阻薄膜的制备与结构表征方法
2.2.1 忆阻薄膜的制备
2.2.2 微观结构的表征
2.3 忆阻交叉阵列的制备方法
2.3.1 光刻胶掩膜制作
2.3.2 磁控溅射制作电极
2.3.3 下电极引出方法
2.4 忆阻阵列测试系统的总体设计及搭建
2.4.1 测试系统硬件架构
2.4.2 测试系统控制软件设计
2.4.3 忆阻单元电学特性测试方案
2.5 本章小结
第三章 单晶铌酸锂晶圆忆阻薄膜制备方法研究
3.1 单晶铌酸锂晶圆离子注入仿真
3.2 单晶铌酸锂晶圆离子注入键合剥离工艺研究
3.2.1 离子注入晶圆的起泡现象研究
3.2.2 基于BCB胶的键合及退火剥离工艺研究
3.3 单晶铌酸锂薄膜的忆阻特性研究
3.3.1 真空退火与氩离子辐照对薄膜忆阻特性的影响
3.3.2 薄膜厚度对忆阻特性的影响
3.4 忆阻单元的电荷输运分析
3.5 本章小结
第四章 单晶铌酸锂薄膜忆阻交叉阵列的制备及性能测试
4.1 单晶铌酸锂薄膜忆阻交叉阵列的制备
4.2 阵列中忆阻单元的阻变特性
4.2.1 忆阻单元的数据保持特性与抗疲劳特性
4.2.2 忆阻单元的多态特性测试
4.3 阵列中忆阻单元电学特性测试统计分析
4.4 本章小结
第五章 结论与展望
5.1 结论
5.2 展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果