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对嵌入管芯封装使用ABF GC腔的翘曲控制

摘要

诸实施例包括半导体器件封装和形成这类封装的方法。在一个实施例中,封装可包括管芯侧增强层,该管芯侧增强层具有贯通管芯侧增强层形成的腔。具有第一侧和包括器件侧的相对第二侧的管芯可被定位在腔内,且管芯的第一侧与管芯侧增强层的第一侧基本共面。在一个实施例中,构建结构可耦合至管芯的第二侧。诸实施例包括构建结构,其包括由图案化的导电材料和绝缘材料构成的多个交替层。

著录项

  • 公开/公告号CN105448867B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201510511986.3

  • 申请日2015-08-19

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张东梅

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:35:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-28

    授权

    授权

  • 2016-04-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/482 申请日:20150819

    实质审查的生效

  • 2016-04-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/482 申请日:20150819

    实质审查的生效

  • 2016-03-30

    公开

    公开

  • 2016-03-30

    公开

    公开

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