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穿透硅通孔结构制作方法

摘要

本发明公开了一种穿透硅通孔结构制作方法,包括如下步骤:提供一硅衬底,硅衬底具有正面和与正面相对的背面,硅衬底的正面形成有通孔,通孔向硅衬底的背面延伸,在通孔的内壁依次沉积介质层和阻挡层,然后向通孔内填充金属;对硅衬底的背面进行初步减薄;对硅衬底的背面进行湿法刻蚀,并在通孔底部处的介质层被暴露出来之前停止湿法刻蚀;对硅衬底的背面进行干法气相刻蚀,直至通孔底部处沉积的一部分的金属、阻挡层和介质层从硅衬底的背面凸起,其中通孔底部处的介质层被暴露出来;在硅衬底的背面除通孔底部外的部分沉积钝化层;去除通孔底部处的介质层;及采用干法气相刻蚀法去除通孔底部处的阻挡层,通孔底部处的金属从硅衬底的背面露出。本发明通过采用干法气相刻蚀减薄硅衬底的背面及去除通孔底部处的阻挡层,提高了穿透硅通孔结构制作良率。

著录项

  • 公开/公告号CN104143526B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 盛美半导体设备(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201310169431.6

  • 发明设计人 王坚;贾照伟;金一诺;王晖;

    申请日2013-05-09

  • 分类号H01L21/768(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆勍

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号4幢

  • 入库时间 2022-08-23 10:31:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-27

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/768 变更前: 变更后: 申请日:20130509

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2019-05-17

    授权

    授权

  • 2019-05-17

    授权

    授权

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20130509

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20130509

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20130509

    实质审查的生效

  • 2014-11-12

    公开

    公开

  • 2014-11-12

    公开

    公开

  • 2014-11-12

    公开

    公开

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