法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-22
授权
授权
2017-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20131223
实质审查的生效
2017-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20131223
实质审查的生效
2016-07-06
公开
公开
2016-07-06
公开
公开
机译: 在异质衬底上的多晶半导体薄膜异质结构的制造方法和结构
机译: 在不同衬底上的多晶半导体薄膜异质结构的制造方法和结构
机译: 通过使用异质衬底制造半导体衬底并在其制造过程中回收异质衬底的方法