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Si(100)衬底上n-SiC/p-Si异质结构研究

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本文报道用低压VCD方法在Si及SiCe/Si衬底上大面积、无坑洞SiC薄膜材料的制备技术及异质结构特征,提高n-SiC/p-Si异质结二极管反向击穿电压.

著录项

来源
《第八届全国固体薄膜学术会议》|2002年|75-77|共3页
会议地点长春
作者
孙国胜; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 孙艳玲; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
半导体薄膜; 化学气相淀积; Si衬底; 异质结构;

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