在p-SI(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

摘要

室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射，其强度与晶体质量有关。