一种非晶FeTiO/SiO2/p-Si异质结构材料及其制备方法

摘要

一种非晶FeTiO/SiO2/p‑Si异质结构材料，由p‑Si薄膜层、SiO2薄膜层和非晶FeTiO薄膜层组成并形成异质叠层结构FeTiO/SiO2/p‑Si，各薄膜层的厚度分别为p‑Si薄膜层330μm、SiO2薄膜层2nm、非晶FeTiO薄膜层350nm；采用超高真空三靶共沉积磁控溅射镀膜机制备；用于半导体自旋电子学器件，包括磁场控制的开关、磁场敏感器和自旋二极管。本发明的优点：采用溅射法制备，靶材选择简单和靶材使用率较高，在工业化生产上具有明显成本和技术优势；异质结构材料具有较高的磁电阻效应。