纳米-微米复合图形化衬底及其在半导体异质外延上的应用

摘要

报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形成了适合纳米范围选择性生长的区域.研究发现,该复合结构的制备过程与后续外延的工艺兼容.经封装后,在复合图形衬底上制造的LED芯片,其所测试的光通量比未添加SiO2纳米颗粒的微米图形衬底制造的LED光通量提高57％左右,而光输出功率则提高了17,8％.研究表明,在传统的微米图形衬底上加入SiO2纳米颗粒阵列不仅能够提供纳米级区域外延生长的模板,有效减少外延层的线位错密度,而且能够进一步粗化衬底表面,增加有源层光线逸出的几率,从而有效地提高了光提取效率.