在纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长氮化铝的方法

摘要

本发明提供一种在纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长氮化铝的方法，包括：在纳米图形化蓝宝石衬底的表面沉积石墨烯层；对所述石墨烯层进行等离子体处理；以及在经处理后的所述石墨烯层上外延生长氮化铝层。本发明利用石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底作为氮化铝外延生长的衬底，并对石墨烯层进行等离子体处理，借助于石墨烯作为缓冲层，利用范德华外延的性质，可降低晶格失配和热失配导致的高应力与高位错密度，从而有效提升外延氮化铝薄膜的质量。