提拉法

摘要： 本文采用中频感应提拉法生长了尺寸为Φ35 mm×70 mm的完整的YAlO_(3)∶Ce(YAP∶Ce)晶体。XRD测试结果表明所生长的YAP∶Ce晶体主相为YAP相,同时存在第二相YAG相;光致激发发射光谱表明晶体发射波长在344 nm和376 nm,激发波长分别为273 nm、290 nm和305 nm;X射线激发发射光谱表明晶体发射波长在377 nm附近;在γ高能射线激发下,晶体衰减时间曲线呈指数衰减,拟合后得到YAP∶Ce晶体的衰减时间为46 ns,通过高斯拟合以后YAP∶Ce晶体的能量分辨率和绝对光产额分别为8.51%和8530 ph/MeV。本文分析了晶体生长过程中产生开裂和相变的原因,通过优化温场和工艺可以得到完整无开裂的晶体。如何获得更大尺寸的无开裂、无相变晶体,并实现量产是该晶体规模化应用中需要解决的重要技术难题。

摘要： Tb_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12)(TSAG)晶体具有高透过率、高激光损伤阈值、低吸收系数以及比Tb_(3)Ga_(5)O_(12)(TGG)更为优异的磁光性能,被认为是理想的磁光材料;但由于晶体在生长过程中会累积大量的热应力,并且出现成分偏析的现象,导致晶体在后期加工和使用过程中容易开裂,严重限制了该晶体的应用。本文通过优化生长工艺,采用提拉法成功生长了高质量且完整无开裂的TSAG磁光晶体。将生长所得的单晶经定向、切割及抛光后获得尺寸合适的样品,并对其热学性能和光学性能进行了系统表征。结果显示,TSAG晶体在400~1500 nm波段透过率达到84%左右,热学性能优于目前商业化应用较好的TGG晶体,在高功率下应用时变形较小且散热更快,将更好地保护器件安全。TSAG晶体的Verdet常数约为TGG晶体的1.2倍,且晶体生长过程不存在Ga_(2)O_(3)挥发等问题,制备较为简单,有望在可见近红外波段实现商业化应用。

摘要： 采用提拉法成功生长出不同掺杂浓度的Mg:GaNbO_(4)晶体,并对晶体进行了表征;XPRD测试结果表明,晶体具有与GaNbO_(4)晶体相同的晶体结构,同属单斜晶系,C2/m空间群;Laue衍射测试结果表明,晶体结晶性良好,可利用性较高;XPS测试结果表明,Mg ^(2+)有效掺杂进GaNbO _(4)晶体中,且因杂质自补偿效应,调控了晶体中氧空位缺陷的浓度;晶体退火后,氧空位缺陷的浓度再次大幅度升高。

摘要： 自倍频晶体是将激光和非线性光学效应集于一体的一类晶体,可以实现波长变换、调幅、开关、记忆等功能,被广泛应用于光电子、光通信、激光等领域。然而现有的Nd∶LiNbO 3(Nd∶LN)、Nd∶Na_(3)La_(9)O_(3)(BO_(3))_(8)(Nd∶NLBO)、Nd∶La_(2) CaB_(10)O_(19)(Nd∶LCB)等晶体由于固有的光折变效应、二次谐波(SHG)输出功率低、光学均匀性差等缺点限制了其进一步的应用,发展新的激光自倍频晶体具有重要的意义和价值。碳酸钙镁石家族硼酸盐晶体由于具有较大的非线性光学(NLO)系数、不易潮解、优异的光学性能和机械性能等优点,近几十年来成为人们重点研究的对象。本文从晶体结构、生长方法、性能、发展趋势等方面,着重介绍了碳酸钙镁石家族REM_(3)(BO_(3))_(4)(RE为稀土元素La-Lu和Y;M为Al,Ga,Sc)和La_(x)RE_(y )Sc_(z)(BO_(3))4(RE=Gd,Y,Nd,Lu,Sm,Tb;x+y+z=3)共取代型硼酸盐非线性光学晶体。对比了不同助熔剂、气氛、方法生长的晶体的紫外(UV)截止边、光学性能、非线性性能的差异。通过改善生长工艺,进行元素掺杂等可以得到光学性能良好、非线性性能显著、有广泛市场应用前景的自倍频(SFD)晶体。

摘要： 采用提拉法生长了2%Dy^(3+)和1%Tb^(3+)(原子数分数)共掺的钆钪铝石榴石激光晶体(Gd_(3)Sc_(2)Al_(3)O_(12),GSAG)。研究了晶体(111)晶面的腐蚀缺陷形貌并对缺陷形成机理进行了解释,讨论了晶体缺陷的特征形貌与晶体结构之间的关系。表征并计算了晶体(111)晶面的维氏硬度和莫氏硬度,在0.2 kgf载荷和10 s保荷时间条件下,晶体(111)面的维氏硬度为1267 kg/mm^(2),对应的莫氏硬度为7.3。研究结果对揭示混晶石榴石晶体中缺陷的成因和探索高品质晶体生长与加工工艺具有一定的参考价值。

摘要： 钻井过程中由于地层或操作不当等因素导致偶发的卡钻,不仅延长了钻井周期,而且可能导致次生故障甚至埋钻等事故,造成严重经济损失.目前,现场采用的提拉法计算卡点方法没有考虑井内管柱所受摩擦阻力影响,导致计算出的卡点深度误差随着摩阻增加而增加,难以适用于高摩阻直井及大斜度井.基于卡点深度计算原理,运用胡克定律,利用上提、下放过程中相同钩载条件下管柱在井眼内所受摩擦阻力大小相等、方向相反的特点,推导了可消除套管内管柱摩擦阻力影响的卡点深度计算公式,同时提出了该计算公式配套的操作方法和实施步骤.实践证明,该方法计算卡点深度结果准确,具有较强的实用价值.

摘要： 利用提拉法在紫铜基体上制备了ZnO涂层,并研究了成膜添加剂及水热加强过程对其机械性能及耐腐蚀性能的影响.研究表明,在ZnO溶胶液中加入成膜添加剂可使ZnO涂层形成大量直径为300 nm左右的孔洞,大幅提高了涂层的比表面积、附着力、硬度和耐磨性能;进一步的水热处理过程可在纳米多孔ZnO涂层之上生长一层粒径为100 nm左右的ZnO颗粒,进一步提高了涂层的比表面积,同时附着力明显提升,而硬度、耐磨性能基本保持不变;阳极氧化测试及交流阻抗测试表明,添加剂的加入及后续进行的水热加强处理能提高ZnO涂层的耐腐蚀性能.

摘要： 压电材料在振动传感器、压力传感器和超声波压电换能器等器件技术领域有着广泛应用,探索新型压电晶体材料用于特种压电传感器件的研发具有重要意义。本文利用传统的提拉法生长出具有高熔点(~1800°C)的磷酸钡镱(YbBa_(3)(PO_(4))_(3),YbBP)新型压电晶体。X射线衍射分析表明,该晶体属于立方晶系I 43d空间群,晶胞参数为a=b=c=1.0435 nm。研究发现,该晶体沿垂直于(013)晶面的方向更容易生长。摇摆曲线半峰全宽测得为60.6″,表明生长的晶体具有较高的结晶品质。采用LCR电桥法、阻抗法和超声法测算了该晶体的相对介电常数和压电应变常数,得到晶体的相对介电常数ε11和压电应变常数d14分别为15.3和11.4 pC/N。该晶体不仅具有较好的压电性能,同时具有纯的面切变振动模态,表明该晶体在压电传感技术领域具有潜在应用。

摘要： 针对目前普遍存在的难以准确测定晶体组分的问题,提出一种以YAG晶体为标样、采用X射线荧光光谱分析法准确测定晶体组分的方法。测试样品分别为纯YAG晶体、生长原料掺杂浓度1.2 at%和2.0 at%Yb:YAG晶体,采用X射线荧光光谱分析法,对不同浓度的Yb:YAG晶体的组分进行了无损、快速、准确的测定。以纯YAG晶体作为标准样品,标定主成分的含量,大幅提高了检测结果的准确度,主成分Y^(3+)和Al^(3+)的测试误差小于1%、掺杂Yb3+的测试误差小于5%。通过晶体放肩初始部位Yb^(3+)的浓度测定结果,计算出Yb^(3+)在两种待测晶体中的分凝系数分别为1.025和1.045,接近于1,有利于实现Yb:YAG晶体的高浓度掺杂以及优质晶体生长。2.0 at%Yb:YAG晶体的首尾掺杂浓度差小于5%,说明晶体等径部分掺杂浓度均匀性高。

摘要： 采用单晶提拉法成功生长出优质的Gd^(3+)/Yb^(3+)共掺铝酸钇晶体。对晶体的结构、分凝系数、光谱和激光性能进行了表征,结果表明:所生长的晶体空间群为Pnma,属于正交晶系,Yb^(3+)的分凝系数为1.13。从偏振吸收和荧光光谱发现,b偏振方向时,晶体在980 nm处吸收截面为2.14×10^(-20) cm^(2),适用于InGaAs激光二极管泵浦;在1044 nm处的发射截面为0.39×10^(-20) cm^(2),荧光寿命为1.638 ms。此外,对b切向的Gd/Yb∶YAP晶体进行激光实验,在1μm处实现连续激光输出,斜率效率为23.5%,最大输出功率可达0.51 W。

摘要： 本文阐述了提拉法单晶硅生长系统中碳杂质输运与控制的数值模拟与实验验证，结果表明：过量碳氧杂质降低CZ-Si工艺中的晶体品位，碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中，气体导流筒与Si熔体间隙对C杂质输运影响取决于扩散距离。

摘要： 镓钆石榴石(GGG)是一种在光学器械中很有应用前景的材料,还是光磁薄膜和高温超导的一种重要衬底.但是在GGG的生长中会出现一系列的缺陷,这些缺陷极大的降低了晶体的质量.本文应用数值模拟和理论分析的方法来探讨晶体生长过程中缺陷形成的机理,计算模拟了GGG晶体提拉法生长过程的温度场、流场和应力场,并分析了转速变化对晶体质量的影响,同时提出了两种用于提高晶体质量的改进方法.

摘要： 磁光晶体主要用于制作法拉第旋光器和隔离器,防止光路中由于各种原因产生的后向传输光对光源以及光路系统产生的不良影响.其在光纤通信、光信息处理技术、光传感器等领域具有重要应用.目前铽镓石榴石晶体(TGG)因具有大的磁光常数、低的光损耗、高热导性和高激光损伤阈值,是用于制作磁光隔离器的最佳磁光材料,适用于波长400～1100nm.但是TGG晶体在生长过程中存在组分挥发,对温场梯度要求苛刻等问题,限制了其大尺寸以及高光学质量晶体的生长.据相关报道提出,采用钪取代镓,可以解决组分挥发的问题,并且提高了磁光常数,但是目前报道的采用导模法、微下拉法、提拉法等方法生长的铽钪铝晶体(TSAG)尺寸都比较小,且容易开裂.采用提拉法,通过改进原料处理工艺和温度梯度,成功长出大尺寸TSAG晶体,并对其性能进行了初步研究.测量晶体(111)面的摇摆曲线,其半峰宽度只有0.11°,且峰型对称,说明晶体的质量很好.对其热学性能,如热膨胀、比热、热导率等进行了表征,同时测量其磁光性能,在632.8nm处的菲尔德常数为164rad/m T,比TGG的140rad/m T提高了17％.TSAG晶体有望成为第二代成熟的磁光晶体.

摘要： 碳杂质对少流子寿命的危害主要发生在氧含量较高的CZ-Si晶体中C原子:O沉淀的成核中心,强化O沉淀(少流子寿命杀手)S.Nakagawa,OYO BUTURI,84(2015)S.Kishino et.al JJAP,21(1982)。

摘要： 采用提拉法生长了2at％ Nd3+掺杂的GdNbO4激光晶体,研究了其结构与光谱性质.采用Rietveld方法对样品的X射线光谱精修得到了晶体的晶胞参数、原子坐标等. 测试了Nd∶GdNbO4晶体的室温下的透过光谱,采用Judd-Ofelf理论计算得到了J-O强度参数Ωt(t=2,4,6)以及自发辐射概率、荧光分之比、辐射寿命、荧光量子效率等.测试了GdNbO4晶体室温下的荧光光谱,主荧光发射峰位于1066.5nm. 通过单指数函数拟合得到了Nd3+离子4F3/2能级的荧光寿命为178μs.

摘要： 以五氧化二钒粉末为原料,采用熔融—水淬法制备了钒氧化物胶体,采用旋涂法或提拉法在玻璃基片和光纤端面上制备了钒氧化物干凝胶薄膜,对凝胶薄膜进行了表征,采用端面反射型光纤传感实验装置对薄膜的湿度敏感性质进行了研究.XRD测试结果显示钒氧化物干凝胶薄膜的胶体粒子较小或结晶不完整,拉曼光谱提示干凝胶膜具有层状结构.在光纤端面形成提拉膜,其反射光强随相对湿度增大而降低,相对湿度减小时反射光强增大,薄膜对湿度具有敏感特性,吸湿和脱湿的响应时间均较短,约为1～2s.

摘要： 介绍了一种针对熔体晶体生长过程提出的准三维全局传热分析数值模型。针对熔体晶体生长系统的结构和热场特点，设计了一种二维/三维混合网格离散方案和一种高效的全局模拟迭代策略。利用该全局传热模型，耦合求解熔体晶体生长过程中包括热传导、热对流、热辐射和凝固相变在内的各种传热现象，可取得跟利用全三维全局传热模型时相同的模拟效果，但是对计算时间和所需的计算机内存容量要求大幅降低。作为该全局传热分析模型的应用实例，将其分别应用于水平磁场作用下的提拉法单晶硅生长过程和多晶硅铸锭定向凝固过程的模拟，模拟结果正确反映了这些晶体生长过程中热场的三维特征。

摘要： 以分析纯SnCl2·2H2O和PdCl2为主要原料,控制不同n(Pd2+)(Sn2+),利用溶胶凝胶-浸渍提拉法制备了Pd掺杂SnO2纳米膜及气敏元件。用XRD、AFM对样品的结构、形貌进行了分析,并测试了Pd掺杂SnO2纳米膜的半导体和H2敏感性能。结果表明,Pd掺杂SnO2纳米膜平整而致密,表面椭球形粒子颗粒尺寸约20nm；Pd掺杂SnO2为金红石型晶体结构,但Pd2+进入SnO2晶格代替八面体中部分Sn4+,导致其晶胞参数比未掺杂SnO2略小；Pd掺杂SnO2纳米膜的电阻随温度升高而减小,表现出n型半导体阻温特性；随Pd掺杂比例的增大,元件的电阻增大,其对H2的灵敏度先增大后减小,当掺杂比例为1％时对H2灵敏度最高。

摘要： 本文以溶胶-凝胶法制备了一种光敏Zr02溶胶，采用提拉法在熔石英上沉积了单面，然后采用多种手段对CSG(色分离光栅)的形貌进了表征，通过对较大面积光栅的测量显示，形成了规则一致的微结构，并对CSG的衍射效率进行了测量，采用Nd：YAG激光器(上海激光等离子体研究所)，脉宽约为lOns，以KTP晶体进行倍频，分别测量三种频率的衍射效率，结果显示，对于三倍频光，其零级衍射效率约为80%(未经过归一化)，基频与二倍频分别为5.7%和4.2%，基本达到了分离特定频率激光的效果。

摘要： 用提拉法生长了铌酸镓镧单晶体采用LCR电桥,谐振-反谐振法测量了该晶体全部的相对介电常数、压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：εo 11=21.55,εn33=80.18,D11=7.0pC/N,D14=-5.6 pC/N；Sε11=9.61 pm2／N；S E 12=-4.36 pm2/N；SE13=-2.10 pm2/N；SE14=-3.87 pm2/N；SE33=5.77 pm2／N；SE44=22.39 pm2／N；SE66=25.81 pm2／N。

摘要： 一种晶体生长的坩埚安置法，涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法，涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法，包括：模板制作，倒扣坩埚，放置热电偶，填充保温材料氧化锆粉末，翻转模极，清洁处理等步骤。此法是晶体生长的坩埚一种对中、面平、不易下陷的快速安置法，并可保持热电偶的固定。

摘要： 本申请提供了提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法，涉及化学膜制备技术领域。一种提拉涂膜夹具，包括主体、密封圈和两个压杆。主体具有凹槽和围设于凹槽四周的平台，平台用于放置待涂膜元件。密封圈围设于凹槽的四周且与平台密封连接。两个压杆能够分别与凹槽两侧的平台可拆卸连接，以将放置于平台上的待涂膜元件紧贴与密封圈。该提拉涂膜夹具对元件采用两侧夹持，不在元件顶部和底部有任何高出元件表面的夹持，避免影响元件表面膜层的均匀性。采用凹槽和密封圈的配合，实现大口径高径厚比元件的单面密封，能够实现对大口径高径厚比元件的两个不同表面制备不同的化学膜。

摘要： 本申请公开了一种心包提拉器、心包提拉器装置、心包介入系统及操作方法，心包提拉器包括活动套设的两管件，各管件具有相对远端和近端，各管件远端的管壁带有至少一个锚刺；两根管件相对运动时，各管件的锚刺相互配合夹持心包。该方案相对于现有技术，各管件的锚刺实现对心包夹持，并在两根管件的远端远离心包运动时，稳定的实现对心包的牵拉，避免对心肌等周边组织的损伤。

摘要： 本发明公开了一种晶圆的提拉设备与相应的提拉工艺，该设备主要包括：提拉槽，所述提拉槽用以容纳清洗液；提升机构，所述提升机构包括提升部与驱动部，所述提升部用以放置晶圆，所述驱动部带动提升部在提拉槽内做出升降运动；取送机构，所述取送机构用以承接来自提升部的晶圆并将晶圆提高至完全脱离清洗液的区域；相应的提拉过程主要包括前处理与多次分段式的慢提拉。本发明可以避免水分残留，提高干燥效果，干燥过程均匀可控。

摘要： 本发明提供单晶提拉方法和单晶提拉装置，所述单晶提拉方法是在通过直拉法从硅熔融液中提拉硅单晶时，在肩部形成后、且在产品部前半形成中，向硅熔融液中高效地添加掺杂剂而不会产生有位错化，可得到低电阻率的单晶。所述方法具备以下工序：形成惰性气体流(G)的工序，该惰性气体流在配置成包围在炉内培育的硅单晶(C)的隔热板(7)的内侧从上方朝向硅熔液面(M1)流动，同时沿着上述硅熔液面放射状地扩展，向上述坩埚外排气；在上述炉内使掺杂剂变成气态的工序；将已变成气态的掺杂剂排放到上述隔热板的内侧的工序；以及使上述已变成气态的掺杂剂搭乘上述惰性气体流而流动的工序。

摘要： 本实用新型提供了一种提拉机构、提拉器及提拉窗，属于提拉窗领域。该提拉机构包括外壳和卷簧，外壳设有容纳腔，卷簧位于容纳腔内，外壳内侧面的中部设置有第一弧形面，第一弧形面朝向远离外壳中心的方向弯曲，且第一弧形面与卷簧的外表面相贴合。该外壳能降低灰尘进入，且能有效避免卷簧发生位移变化，避免卷簧错位。

摘要： 本实用新型提供一种重塑脸型、去皱纹、缩小毛孔的提拉头罩和提拉面膜及提拉颈膜，提拉头罩和提拉面膜缺一不可。提拉头罩其功能是固定提拉面膜，达到重塑脸型和去皱纹的功效；提拉面膜有两部分组成：一是脸型部分，一是带型部分。脸型部分贴于脸部，带型部分环绕于下颚及脸的外侧。提拉面膜中的脸型部分，额外缝制的提拉条带，起到固定提拉力方向的作用；可针对皱纹的走势，做不同方向的拉伸，使凹下的皮肤组织得到提升，达到重塑脸型和去除皱纹以及缩小毛孔的功效。提拉颈膜可以连接于提拉面膜，也可以独立使用。

摘要： 本实用新型属于电梯安全技术领域，具体涉及一种安全钳提拉机构及提拉总成，其中，安全钳提拉机构，包括安装座、转轴、凸轮和提拉臂，凸轮通过转轴安装于安装座，提拉臂与凸轮联动连接；在外力作用下提拉臂上提或下拉以联动凸轮转动，凸轮转动以联动安全钳的钳体横向活动配合于安装座。本实用新型的安全钳提拉机构，通过驱动安全钳的钳体横向移动，以联动安全钳楔块与导轨接触摩擦，从而实现安全钳楔块与导轨之间的摩擦制动；与现有的安全钳提拉机构的原理不同，且结构简单，便于安装。

摘要： 本发明属于宝石单晶技术领域，尤其涉及一种用于提拉法或导模法生长宝石单晶的掺杂原料的制备方法，其首先采用高压气体雾化法将高纯铝直接水解生成高活性的氢氧化铝溶胶或悬浊液，然后将脱去自然水的氢氧化铝加入含有掺杂元素的水溶液中，使掺杂元素均匀地吸附在氢氧化铝的表面；在随后的煅烧过程中，掺杂元素将进入氧化铝的晶格；随后采用冷坩埚法对粉态的掺杂原料进行致密化，最终获得具有理想堆积密度的掺杂的氧化铝原料，该原料适用于提拉法或倒模法生长有色宝石晶体。采用本发明的方法制备得到的掺杂原料具有掺杂均匀、密度高的优点。

摘要： 本发明属于宝石单晶技术领域，尤其涉及一种用于提拉法或导模法生长宝石单晶的掺杂原料的制备方法，其首先采用高压气体雾化法将高纯铝直接水解生成高活性的氢氧化铝溶胶或悬浊液，然后将脱去自然水的氢氧化铝加入含有掺杂元素的水溶液中，使掺杂元素均匀地吸附在氢氧化铝的表面；在随后的煅烧过程中，掺杂元素将进入氧化铝的晶格；随后采用冷坩埚法对粉态的掺杂原料进行致密化，最终获得具有理想堆积密度的掺杂的氧化铝原料，该原料适用于提拉法或倒模法生长有色宝石晶体。采用本发明的方法制备得到的掺杂原料具有掺杂均匀、密度高的优点。