Gallium arsenide lasers; Aluminum gallium arsenide; Heterojunctions; Diodes; Fabrication; Monolithic structures(Electronics); Gallium arsenides; Silicon; Substrates; Epitaxial growth; Wafers; Germanium; Thin films; Reprints; Molecular beam epitaxy;
机译:具有干法刻蚀的刻面和脊的单片式AlGaAs-GaAs单量子阱脊激光器
机译:AlGaAs / GaAs MQW激光二极管和使用选择性再生长生长在Si上的GaAs MESFET的单片集成
机译:GaAs-AlGaAs条带包埋异质结二极管激光单线性阵列的有限元热模型
机译:GaAs / AlGaAs二极管激光器的单片二维表面发射阵列
机译:用于无源对准的混合光学封装的整体式刻蚀面三角形波导二极管环形激光器阵列。
机译:输出电源限制和被动模式锁定GaAs / Algaas量子阱激光器的改进
机译:42GHz重复频率的单片InGaAs / AlGaAs双量子阱激光器的无源锁模
机译:在单片Gaas / si衬底上制造的alGaas双异质结构二极管激光器