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AlGaAs laser diode with an AlGaAs Zn-stop diffusion layer

机译：具有AlGaAs锌停止扩散层的AlGaAs激光二极管

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摘要

An AlGaAs-based semiconductor laser diode is disclosed which has a Zn-stop diffusion layer of p-type conductivity deposited on the active layer, having an Al content greater than 85%.

机译：公开了一种基于AlGaAs的半导体激光二极管，其具有沉积在有源层上的p型导电性的Zn-停止扩散层，其Al含量大于85％。

著录项

公开/公告号EP0556620A2

专利类型
公开/公告日1993-08-25

原文格式PDF
申请/专利权人 EASTMAN KODAK COMPANY;
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申请/专利号EP19930101394
发明设计人 KAHEN KEITH B.C/O EASTMAN KODAK COMPANY;SMITH FRANK T.J.C/O EASTMAN KODAK COMPANY;
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申请日1993-01-29
分类号H01S3/19;
国家 EP
入库时间 2022-08-22 05:05:19

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