具有LRC-Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有LRC‑Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池及其制备方法，包括:(a)选取Si衬底；(b)利用磁控溅射法，在所述Si衬底上形成Ge外延层，所述Si衬底和所述Ge外延层形成Ge/Si衬底；(c)利用LRC工艺使所述Ge外延层晶化；(d)利用MOCVD工艺，在所述Ge/Si衬底上形成GaAs/AlGaAs子电池；(e)在所述GaAs/AlGaAs子电池上分别形成接触层和反射层；(f)在所述Si衬底底形成接触负电极并在所述接触层上形成接触正电极。本发明采用LRC工艺制备GaAs/AlGaAs双结太阳能电池，可以制备出很薄的Ge外延层，并且质量较高、热预算低。能够制备出具有品质优良的Ge/Si衬底的GaAs/AlGaAs双结太阳能电池。